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题型 第一章 晶体结构 四、电导和霍耳效应 迁移率 晶格散射、杂质散射与温度的关系 霍耳效应的原理、实验设置及应用 五、非平衡载流子 多子、少子 非平衡载流子的行为 六、PN结 PN结的能带结构和伏安特性 载流子的行为：正向注入和反向抽取 光生伏特效应 常用公式： 三维 二维 一维 （三维） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 本章要求 自由电子模型，自由电子能量和波函数 自由电子的能态密度（一维、二维、三维） T＝0时电子的分布，费米能、费米面、费米温度、费米半径、费米速度等概念 Sommerfeld展开式及其应用（求EF和Ce等） 热电子发射和接触电势 金属的导电率、Wiedemann-Franz定律、Hall效应 自由电子论的成功与局限性 基本公式和基本物理量的数量级（n、EF0 、TF和W等） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、直接带隙半导体和间接带隙半导体 能带结构、光吸收特点（能量守恒、准动量守恒） 二、杂质半导体 掺杂类型（N、P）、施主、受主 能带结构特点及杂质能级位置 类氢杂质能级 三、载流子的费米统计分布 电子和空穴的统计分布规律 有效能级密度 第八章 半导体电子论 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 七、金属－绝缘体－半导体系统 MIS和MOS结构 积累层、耗尽层以及反型层的形成条件 八、异质结 异质结的能带结构 注入比 窗口效应 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 五、紧束缚近似（微扰计算不要求） 1. 紧束缚模型 2. 结果： 3. 适用范围：原子的内层电子所形成的能带；过渡金属的d电子能带；绝缘体、化合物和某些半导体的价带。 ( ＝近邻格矢)为近邻原子间电子波函数的重叠积分，其大小决定所形成能带的宽度 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 六、En(k)函数的三种布里渊区图象 七、电子能带的对称性 简约布里渊区图象 扩展布里渊区图象 周期布里渊区图象 对同一能带: Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 九、能态密度与费米面 1. 能态密度： 八、简约区中自由电子能带的表示法 自由电子能量： 对于二维、三维晶体，通常都是沿某对称轴方向求出En(k)函数的表达式，画出En(k)－k的曲线，给出相应的简并度。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client P