3-2基本CMOS逻辑门电路康华光数字电子技术第六版分解.ppt

1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 2. N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性 3. 其他类型的MOS管 (2) N沟道耗尽型MOS管 * 3.2 基本CMOS逻辑门电路 3.2.1 MOS管及其开关特性 3.2.2 CMOS反相器 3.2.3 其他基本CMOS逻辑门电路 3.2.4 CMOS传输门 CMOS门电路是以MOS管为开关器件。 MOS管的分类： N沟道 P沟道 P沟道 N沟道 MOS 增强型 耗尽型 3.2.1 MOS管及其开关特性 1. N沟道增强型MOS管的结构和工作原理 MOS管的分类： 源极 栅极 漏极 p-型半导体 n-型半导体 符号 (1) VGS 控制沟道的导电性 vGS=0, vDS?0, 等效背靠背连接的两个二极管, iD?0。 vGS0, 建立电场 ?反型层 ? vDS0, iD ?0。 沟道建立的最小 vGS 值称为开启电压 VT. (2) VGS 和VDS共同作用 vGS VT, vDS0, 靠近漏极的电压减小。 当VGS VT, iD 随VDS增加几乎成线性增加 。 当vDS ? ? vGD=(vGS?vDS)?VT, 漏极处出现夹断。 继续增加VDS ? ? 夹断区域变大， iD 饱和。 输出特性分为 截止区： 可变电阻区：沟道产生， iD 随vDS线性增加， rds为受vGS控制可变电阻。 饱和区： (a)输出特性曲线 （b）转移特性曲线 (1) P沟道增强型MOS管 结构与NMOS管相反。 vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反。 开启电压vT为负值 (2) N沟道耗尽型MOS管 绝缘层掺入正离子，使衬底表面形成N沟道。 vGS电压可以是正值、零或负值。 vGS达到某一负值vP，沟道被夹断， iD =0。 N沟道耗尽型MOS管符号如图。 (3) P沟道耗尽型MOS管 结构与N沟道耗尽型MOS管相反。 符号如图所示。 4. MOS管开关电路 ：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平 : MOS管截止， 输出高电平 当υI VT 当υI VT MOS管相当于一个由vGS控制的无触点开关。 MOS管工作在可变电阻区，相当于开关“闭合”，输出为低电平。 MOS管截止，相当于开关“断开”，输出为高电平。 当υI 为低电平时： 当υI为高电平时： 由于MOS管栅极、漏极与衬底间电容，栅极与漏极之间的电容存在，电路在状态转换之间有电容充、放电过程。 输出波形上升沿、下降沿变得缓慢。 5. MOS管开关电路的动态特性 3.2.2 CMOS 反相器 1.工作原理 +VDD +5V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +5V vi vGSN vGSP TN TP vO 0 V 0V ?5V 截止 导通 5V 5 V 5V 0V 导通 截止 0 V VTN = 2 V VTP = - 2 V 逻辑图 逻辑表达式 vi (A) 0 vO(L) 1 逻辑真值表 1 0 A L 第一，vI是高电平还是低电平 ，TN和TP中总是一个导通而另一个截止。CMOS反相器的静态功耗几乎为零。 第二，MOS管导通电阻低，截止电阻高。使充、放电时间常数小，开关速度更快，具有更强的带负载能力。 第三，MOS管的，IG≈0，输入电阻高。 理论上可以带任意同类门，但负载门输入杂散电容会影响开关速度。 CMOS反相器的重要特点： 2. 电压传输特性和电流传输特性 VTN 电压传输特性 电流传输特性 (Transfer characteristic ) 3. 输入逻辑电平和输出逻辑电平 0 5 VIN /V VOUT /V 5 VIHmin VILmax 输入高电平 输入低电平 无定义 输出高电平 0 5 VIN /V VOUT /V 5 VIHmin VILmax VOHmin VOLmax 输出低电平 无定义 输出高电平的下限值 VOH(min) 输入低电平的上限值 VIL(max) 输入高电平的下限值 VIL(min) 输出低电平的上限值 VOH(max) 4.CMOS反相器的工作速度 在由于电路具有互补对称的性质，它的开通时间与关闭时间是相等的。平均延迟时间小于10 ns。 带电容负载 A B TN1 TP1 TN2 TP2 L 0 0 0 1 1 0 1 1 截止 导通 截止 导通 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 截止 截止 导通 导通 1 1 1 0 与非门 1. CMOS 与非门 vA +VDD +5V T P1 T N