基于NAND FLASH的CPCI存储板设计.pdfVIP

第23卷 第3期 仪器仪表用户 EIC Vo1．23 2016年3月 NSTRUMENTAT10N 2016 No．3 基于NANDFLASH的CPCI存储板设计 陈利杰，罗进川，方东 (中国电子科技集团公司 第38研究所，合肥 ) 摘 要 ：为了满足实际工作中数据高速记录存储需求，采用NANDflash芯片，本文设计了一款符合CPCI规范的数据 存储板。在对NANDflash工作特性分析的基础上，采用总线并行方式构造出存储阵列，并在FPGA中编写了芯片控 制逻辑 ，并通过PCI接口与上位机通信，编程实现对存储板的记录存储操作。该板支持容量为384GB，记录速度 ，实 时记录速度高，工作稳定可靠、很好地满足了工程应用需要。 关键词 ：数据存储；坏道管理；NANDflash；CPCI 中图分类号：IP 文献标识码 ：A 文章编号：1671-1041(2016)03—0027—03 NAND FLASH M emoryBoardDesignisBasedontheCPCI ChenLijie,LuoJinchuan，FangDong (ChinaElectronicsTechnologyGroupCorporationNo．38ResearchInstitute，Hefei) Abstract：inordertomeettheactualdemandforhigh—speeddatarecordsarestoredinthework．usesNAND flashchip． designedaCPCI—compliantdatastorage．AnalysisofthecharacteristicsoftheNANDFlashbasedontheconstructedbusparallel tothestoragearrayandFPGA chipsarepreparedinthecontrollogic，andcommunicatewiththePCviathePCIinterface， progam recordstostoragestorageoperations．TheBoardsupports384GBofrrecordingspeeds，recordinghighspeed，stableand reliable，meetapplicationneeds。 Keyw ords：datastorage，badroadmanagement；NANDflash；CPC1 0 引言 块操作 ，写人和读取是页操作。表 1是三星NAND 闪存 K9WBGO8U1M的基本特性表，从表中可以看出，其闪存页 随着雷达技术的高速发展 ，回波信号的带宽越来越高， 写入和擦除操作需要较长的周期Ⅲ。 数据量越来越大 ，对记录系统的速度及容量提出了更高要 求 ；同时，记录系统的应用环境也越来越恶劣，在空天和 表 1 闪存特性 野外环境中，对系统可靠性有更加苛刻的要求。传统回波 Thble1 Flashfeature 记录系统大多基于SCSI磁盘阵列技术。以磁介质为存储体 类别 的机械磁盘，受其结构特性限制 ，速度及容量的提升具有 一 定的局限性。 容量 随着半导体工艺技术的发展，NANDHash以其优良的存 储特性