双稳态技术.ppt

平板显示中的双稳态技术 ■ 问题的提出 ■ 经典的双稳态液晶显示器件 ■ 纯矩阵驱动方式对双稳态显示器件 ■ 被动式双稳态显示器件 ■ 发光型双稳态显示器件 ■ 问题的提出 ■ 经典的双稳态液晶显示器件 ■ 纯矩阵驱动方式对双稳态显示器件 ■ 被动式双稳态显示器件 ■ 发光型双稳态显示器件 用于电视、计算机显示的高质量LCD（Liquid Crystal Display）通常为有源矩阵LCD。这种显示器件需要在玻璃板上制造数以百万的薄膜晶体管（thin film transistor，TFT）阵列，用于驱动每一个LCD 像素。 为了制造TFT，需要在大基板（例如第5 代生产线基板尺寸为1,000 x 1,200 mm2） 上淀积多晶硅、金属层、绝缘层等，并进行3 至5 次精度在1μm 左右的光刻、套刻，生产设备极其昂贵。建造一条第5代的有源矩阵LCD 生产线需数百亿人民币。 塑料基板TFT- LCD 是目前大屏幕液晶显示器的发展方向。 据日经新闻报道，东芝公司将制有TFT阵列的薄玻璃基板粘合在塑料基板上制造出了柔性LCD 显示器。 在未来的5 年，NEC、大日本油墨等10家公司投入数十亿日元开展全塑料基板的有源矩阵LCD 研究，主要研究塑料基板上低温制造TFT 的技术，当然也包括用有机材料构成有源矩阵的制造技术的研究。 在塑料基板上制造TFT 的困难除了基板的耐高温问题，还有微米级线条的光刻套刻的问题。 无论是多晶硅TFT 还是非晶硅TFT，或者是薄膜二端子器件阵列，其制造过程都伴随着资源浪费和严重污染，因为玻璃基板上所淀积的金属、硅、氧化物等最终不到10%被保留下来，其余的都被腐蚀清洗掉了。 一条第5 代TFT 的生产线，每天内部循环再生污水3 万吨，向外部排放的不可再生的污水6,000 吨。随着基板尺寸和量产的扩大，这一问题愈加严重。 鉴于TFT 生产的复杂性和对环境的破坏，有必要开发一种替代技术以解决上述问题。 事实上，TFT 的作用仅在于为每一像素提供显 示存储的功能，若能利用显示器件本身的特点制造出具有双稳态显示特性的器件，则因双稳态显示本身就是存储型显示，就有可能省去TFT 有源矩阵，从而降低大型显示器件的投资要求和生产成本。 最广泛使用的日光灯就是一种双稳态气体放电发光器件。将日光灯两端的电极上加上180V的电压时，日光灯并不发光，只有给出一个极短的高压脉冲激发之后，日光灯才会在180V下发光。换言之，如同日光灯那样的气体放电发光器件在200V左右具有两个稳定状态：发光态与非发光态。200V为其状态的长期储存条件，该状态将被存储到再次被触发的时刻。触发也分两种情况：气体放电发光器件被高压触发成为发光态，而被零电压触发为非发光态。 PDP 等离子显示器件的工作方式与之类似，在行扫描期间外部驱动电路根据该行欲显示的内容予以触发，扫描以后的邻近一场的时间该行像素两端电极被置为180V, 或为存储态，PDP 像素的发光态或不发光态均要维持一场的时间，只有这样，PDP 才能达到可以接收的亮度和对比度。如上所述，由于PDP像素自身就具有存储的特性，所以PDP 不需要如TFT 那样的有源器件。 OLED 是另一种发光型显示器件。使用OLED构成显示器件的方式大致可分为两类：一类是直接用OLED 像素构成矩阵，称为纯矩阵OLED 显示器件；另一类为有源矩阵驱动的OLED，即在OLED显示器的每一个像素加上TFT 和电容构成等效的存储单元。 纯矩阵OLED 显示器件以OLED 作为像素，将OLED 像素的两个端子分别接在显示矩阵的行与列上，驱动电路按照逐行扫描的方式对像素寻址。称为直接寻址方式。 这种方式的优点是结构简单，缺点是每一像素发光的时间只有行扫描被寻址的时间，即每场的1 / N（N 为扫描行的数量），其余时间不发光，所以图像极为暗淡。 为了避免图像发暗，只好成N 倍地加大驱动电流，这又大大地降低了显示器的寿命。这种方法仅适用于扫描行的数量较少的显示器件，例如扫描行数不超过8 行的数码显示屏等。即使如此，纯矩阵的OLED 显示器寿命仍然会受到很大的影响。 有源矩阵驱动的OLED，是在OLED 显示器的每一个像素加上TFT 和电容器构成存储器。因此，在每个OLED 像素上需要至少两只晶体管和一只电容器。寻址的亮度信号通过1 只晶体管被电容器储存起来，再利用电容器里储存的电平通过另一只场效应晶体管的栅极来而控制OLED 像素的发光。 由于电容器中的电平可以储存至少一场的时间，所以OLED 像素的发光时间为一帧的时间。这种方法的优点是扫描的行数可以达到上千行而不降低显示的亮度，用于高寻址路数的大容量彩色显示屏。 有源矩阵驱动的OLED 的每个像素上的OLED、电容器和TFT 晶体管，一起等效于一个