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初始运行的输入文件 信息块卡 该项是选择性的；可有可无。 （空行分隔） 标题卡 栅元描述卡 （空行分隔） 曲面描述卡 （空行分隔） 数据卡 （空行分隔） 其它卡 选择项 粒子标识符 l） imp:n，中子的重要性卡。一 2） imp:p，光子的重要性卡。 3） imp:n,p，中子和光子的重要性卡。 4） F2:n，表明对中子进行计数。 5) imp:e ,电子的重要性卡 6）imp:n,p,e中子光子和电子的重要性卡 检查几何错误 这儿看书看得不是特别明白，没有掌握方法 栅元描述的一般卡片格式 格式： j m d geom params j：栅元的题目序号，写在第1-5列， m：栅元的材料号，它是材料卡（Mm）中相应材料的序号。真空栅元，m=0。 d：栅元材料的密度。填入正值时，表示是原子密度（单位为1024个原子/cm3）；填入负值时，则是质量密度（单位为gm/cm3）。对于真空栅元，该项不填，直接列出下一项内容。 geom：栅元的几何描述。 param：任选的栅元参数说明，其形式为：关键词=数值。 MCNP定义的曲面 问题类型(MODE)卡 MCNP有三种不同的运行方式： i）方式n：中子输运。 ii）方式n p：中子-光子耦合输运。 iii）方式p：光子输运。 坐标变换(Tan)卡 这个是重点 格式：trn O1 O2 O3 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 M n：变换号， 1n999; O1 ，O2 ，O3：变换的位移矢量； B1～B9：变换的旋转矩阵； M：M=l意味着位移矢量是辅助坐标系的原点在基本坐标系定义的位置。M=-l意味着位移矢量是基本坐标系的原点在辅助坐标系定义的位置。 Trn卡的缺省形式为： trn 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 若在TRn前加了“*”，如*TRn，则由指明余弦值改为指明角度，0o＜θ＜180o＝ 通用源描述 例如， sdef surf ext dl axs 0 1 0 erg d2 sdef erg d1 cel=d4 rad fcel d2 ext d3 axs=0 1 0 pos=35 80 105 把上述形式解释为三级源描述。当一个源变量有一个显值或者缺省（例如，单能）或者一个缺省分布（例如，各向同性角分布）时，第一级存在。当用一个概率分布给出一个源变量时，第二级出现。这个级要求SI，SP卡或者其一。当一个源变量与另一个源变量有关时，第三级出现，这个级要求DS卡。 这儿没有看明白？？？？？？ 用源变量 SUR、POS、RAD、EXT、AXS、X、Y、Z及CCC的各种组合以确定源粒子初始位置的坐标（x，y，z）。用这些变量可以指定三种不同类型的体分布及三种不同类型的面分布。这些分布的退化形式是线源和点源。 用变量POS、AXS、RAD及EXT指定一个圆柱体分布。圆柱的轴沿着AXS方向通过点POS。在一个以RAD的抽样值为半径的圆上具有抽取粒子的位置。圆心在这个圆柱的轴上。这个圆位于在离开POS的一定距离上垂直于AXS的一个平面上，这个距离是EXT的抽样值。圆柱分布常常用于圆柱壳体内的均匀抽样。在SIn卡上填写圆柱两端离开POS的EXT距离，并在SIn上填写RAD的内半径及外半径。按缺省值提供两个EXT之间的均匀抽样及两个RAD之间的幂函数抽样，a=1的RAD给出体内均匀抽样。一个有用的退化情况是EXT＝0，这个情况提供一个平面上一个圆对称源。 记数指定卡 Fna记数卡 用户可以使用许多基本记数，每个具有不同的能量箱、标志或其它别的要求。例如，合法的栅元上的平均通量记数的使用方法：f4:n、f14:n、f104:n和f234:n；同样 F5:P，F15:P和F305:p 都是光子的点探测器记数等等。它们可以是同一个栅元，具有不同的能量间隔、乘子等。在同一个INP文件中不允许同时有f1:n和f1:p。