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7.8.1 层错 层错也称堆积层错，由原子排列次序发生错乱引起，随着外延生长一直延伸到表面。是外延层的一种特征性缺陷 。 层错界面处的原子排列不规则，界面两边的原子相互结合较弱，具有较快的化学腐蚀速率，经过适当的化学腐蚀之后，就会在层错面与外延层表面交界处出观三角形腐蚀图形。 * 7.8.2 层错法测量外延层的厚度 因为层错一般是由外延层与衬底界面开始，一直延伸到表面，那么缺陷图形的边长与外延层厚度之间就存在一定的比例关系。因此可以通过测量缺陷图形的边长l，换算出层错四面体的高度，即外延层的厚度T，达到测量外延层厚度的目的。 * 7.8.3 图形漂移和畸变 在外延生长之前，因工艺需要在硅面可能存在凹陷图形，外延生长之后在表面应该重现出完全相同的图形。但是外延层上的图形相对于原掩埋图形常会发生水平漂移，畸变，甚至完全消失，如图所示。 具体情况依赖于衬底取向、淀积率、反应室的工作压强、反应系统的类型、外延温度和硅源的选择等。 硅的生长和腐蚀速率的各向异性是发生图形漂移和畸变的根本原因。 * 7.9 外延层电阻率的测量 外延层的电阻率及其均匀性也是外延层质量的一个重要参数。检测外延层电阻率的方法很多，扩展电阻法是其中的一种。 扩展电阻法的最大持点是可以测量微区的电阻率或电阻率分布情况。 可以反映10-10cm3体积内电阻率的变化，最高分辨半径可达200?。 测量原理：半导体材料电阻率一般要比金属材料的电阻率高几个数量级，当金属探针与半导体材料呈欧姆接触时，电阻主要集中在接触点附近的半导体中，而且呈辐射状向半导体内扩展，扩展电阻法测量电阻率就是根据这个原理进行的。 * 以单探针为例，当有电流I从探针流入半无限厚半导体时，在接触点处电流向半导体材料中呈辐射状扩展，沿径向各点的电阻不相等，半径r处dr范围内的电阻为 则总的接触电阻为 r0为探针端头的半径，ρ为半导体材料的电阻率。 * r越大，dR越小，从针尖到5r0范围内的电阻为： 这个阻值与总电阻之比为 说明扩展电阻主要集中在接触点附近的半导体中。 因此，探针端头的半径越小，则越能反映出微区的电阻情况。 * 实际金属探针与半导体材料表面接触可认为是圆形平面接触，如图所示，接触半径为a，根据上述原理，通过Laplace方程可求出总的接触电阻为 ： 如果实际金属与半导体接触不是欧姆接触时，会存在一个接触电势差，引入一个经验修正因子K，扩展电阻可表示为： * 上面只考虑了半无限均匀的情况，对于薄外延层、扩散层、离子注入层等的测量，由于厚度T与探针有效接触半径是可以相比的，需要进行边界条件的修正，引入一个修正因子Ct，则： 扩展电阻法在实际用中，应该先设法建立一条已知电阻率的单晶材料与扩展电阻的校正曲线，然后再通过校正曲线实现扩展电阻与电阻率的转化关系。 * 什么是外延？生长速率控制机制？ 外延薄膜的生长模型是？ 减少自掺杂效应的方法？ 为什么要采用低压外延？ 采用硅烷热分解法外延的优点是什么？存在的问题及如何解决？ SOS技术的主要优点和缺点？ 分子束外延的主要特点 MBE设备的三个主要组成部分 第七章作业 * 上节课内容小结 薄膜生长模型：晶体表面台阶的横向运动，即为二维层状生长模型。 四种硅源： ①四氯化硅（SiCl4）：早期，温度高，主要应用在传统的外延工艺中。 ②三氯硅烷（SiHCl3，TCS）： 较低的温度下外延，生长速率较高，可用于生长厚外延层。 ③二氯硅烷（SiH2Cl2，DCS）：更低温度下生长高质量薄外延层，外延层的缺陷密度低，是选择外延常用的一种硅源。 以上均为可逆反应，可逆向发生Si的腐蚀。 ④硅烷（SiH4）：可在低于900度的温度下生长很薄的外延层，而且可得到高淀积率。 * 上节课内容小结 生长速率与温度之间的关系 低温区(A区)：表面化学反应控制。 高温区(B区)：实际外延是在高温区外延，表面Si原子有足够的能量和迁移能力，运动到扭转的位置，易生成单晶。 * 7.1.3 化学反应过程 生长硅外延层的硅源有很多种，研究发现每种源的反应过程都存在很多中间产物。以SiCl4为例， 总反应： 发现反应室有四种物质存在：SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2和HCl。 中间反应： 以上反应均为气相反应，产物SiCl2吸附于衬底表面生成固态Si原子。 * 如图所示， SiCl4浓度随水平距离的增加而减小，其他三种成份浓度随离入气口的水平距离增加而上升 。 相比之下，用SiCl4作为硅源生长外延层的激活能（1.6-1.7