5.2霍尔传感器要点.ppt

3 霍尔位移传感器 适合于测量微小位移 * 5.2 霍尔传感器 Hall Sensor 霍尔传感器的工作原理 1．霍尔效应 半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片A、B方向的端面之间建立起霍尔电势。 A B C D 当运动电荷为正电的粒子 当运动电荷为负电的粒子 左手定则 　　将左手掌摊平，让磁力线穿过手掌心，四指表示电流方向，则和四指垂直的大拇指所指方向即为洛伦兹力的方向。 可以推出，霍尔电动势UH的大小为： 式中：kH为灵敏度系数，kH= RH/d，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电动势的大小,与材料的物理特性（霍尔系数）和几何尺寸d有关； 霍尔系数RH＝1/(nq)，由材料物理性质所决定，q为电子电荷量 ；n为材料中的电子浓度。 为磁场和薄片法线夹角。 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势UH可用下式表示： UH=RH IB/d 结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率的交变电势。 金属材料中的自由电子浓度n很高，因此RH很小，不宜作霍尔元件。霍尔元件多用载流子迁移率大的N型半导体材料制作。 另外，霍尔元件越薄(d越小)，kH就越大，所以通常霍尔元件都较薄。薄膜霍尔元件的厚度只有1 左右。 2．霍尔元件 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片(一般为4?mm×2?mm×0.1?mm)，经研磨抛光，然后用蒸发合金法或其他方法制作欧姆接触电极，最后焊上引线并封装。而薄膜霍尔元件则是在一片极薄的基片上用蒸发或外延的方法做成霍尔片，然后再制作欧姆接触电极，焊上引线最后封装。一般控制端引线采用红色引线，而霍尔输出端引线则采用绿色引线。霍尔元件的壳体用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。 (a) 霍尔元件外形 (b)电路符号 (c) 基本应用电路 3．霍尔元件的主要特性及材料 1) 霍尔元件的主要特性参数 (1) 灵敏度kH：表示元件在单位磁感应强度和单位控制电流下所得到的开路（RL=∞）霍尔电动势，单位为V/(A·T)。 (2) 霍尔输入电阻Ri：霍尔控制电流电极间的电阻值。 (3) 霍尔输出电阻RS：霍尔输出电极间的电阻值。 (4) 热阻RQ：霍尔元件上输入1 mW电功率时产生的温升，单位为℃/mW 。 (5) 霍尔电动势的温度系数β：表示在一定的磁感应强度和控制电流的条件下，环境温度每变化1℃时霍尔电势的相对变化率单位为%/℃。 3．霍尔元件的主要特性及材料 1) 霍尔元件的主要特性参数 (7) 额定激励电流IH：空气中的霍尔元件产生允许温升ΔT=10℃时的控制电流，一般为几毫安到几百毫安。 (8) 不等位电势U0：外加磁场为0，霍尔元件在额定控制电流下，两霍尔电极之间的开路电动势。U0越小越好，一般地，U0小于1mV。 （9）不等位电阻r0: r0=U0/Icm。 不等位电动势产生的原因是由于制造工艺不可能保证将两个霍尔电极对称地焊在霍尔片的两侧，致使两电极点不能完全位于同一等位面上。 4 霍尔元件的误差及补偿 1．霍尔元件的零位误差与补偿 霍尔元件的零位误差是指在无外加磁场或无控制电流的情况下，霍尔元件产生输出电压并由此而产生的误差。它主要表现为以下几种具体形式。 1) 不等位电动势U0 当霍尔元件在额定控制电流(元件在空气中温升10℃所对应的电流)作用下，不加外磁场时，霍尔输出端之间的空载电动势。U0越小越好，一般地，U0小于1mV。 此外,霍尔片电阻率不均匀，或片厚薄不均匀，或控制电流极接触不良都将使等位面歪斜，如图所示，致使两霍尔电极不在同一等位面上而产生不等位电动势。 2) 寄生直流电势 在无磁场的情况下，元件通入交流电流，输出端除交流不等位电压以外的直流分量称为寄生直流电势。产生寄生直流电势的原因有两个方面：(1)由于控制电极焊接处接触不良而造成一种整流效应，使控制电流因正、反向电流大小不等而具有一定的直流分量。(2)输出电极焊点大小不一样，热容量不相等产生温差电动势。对于锗霍尔元件，当交流控制电流为20?mA时，输出电极的寄生直流电压小于100 。 3) 感应零电动势 感应零电动势是在未通电流的情况下，由于脉动或交变磁场的作用，在输出端产生的电动势。根据电磁感应定律，感应电动势的大小与霍尔元件输出电极引线构成的感应面积成