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2013模电复习题 名词： 1、本征半导体：2、负反馈：3、共模抑制比：4、闭环放大倍数： 4、静态工作点：5、甲类放大器：6、开环放大倍数：7、通频带： 8．PN结的动态平衡， 9．PN结的雪崩击穿齐纳击穿。 10．零点漂移(零漂)，噪声。 11．负反馈，正反馈 12．N沟道增强型MOSFET的开启电压--- 13、输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真，半功率点。幅度失真，相位失真。 14、幅频响应，相频响应。上边起源 下边频。虚短路，虚断路 15、扩散，漂移，正向偏置，反向偏置， 16交越失真，甲类放大器，乙类放大器，甲乙类放大器， 17、有源滤波，高通，低通，带通，带阻。一阶滤波，二阶滤波，传递函数，谐振角频率。 1．PN结的形成--- PN结的形成---在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差---多子的扩散运动---由杂质离子形成空间电荷区---空间电荷区形成内电场---内电场促使少子漂移---内电场阻止多子扩散---最后多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 2．共发射极放大电路的上限频率fH--- 共发射极放大电路的上限频率fH---在高频区，放大电路中的耦合电容对交流信号仍可视为短路，晶体管的极间电容对交流信号不可视为开路，极间电容对交流信号具有削弱作用，使其放大倍数(增益)随着频率的增加而降低。当放大电路的放大倍数下降到中频区(0.707)倍时所对应的高端频率，称为放大电路的上限频率 。 3．零点漂移(零漂)--- 零点漂移(零漂) --- 当差分放大电路或多级直接联接的放大电路输入信号等于零时，输出电压偏离原来的初始值(参考电压)而上下漂动的现象。 4. 某放大电路在负载开路时输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4V，该电路的输出电阻为（ ）。 A．B．C．D．A．0.78Pom B．0.6VCC C． 0.Pom D．0.2PomA．B．C．D．A．B．C．D．．，这个变化量 ，在集电极电路重现的过程。 9． ，小信号模型分析法适用于 。 10．,降低放大电路的输出电阻，需引入的反馈组态为 。 11．在单电源供电的OTL电路中，电源电压正常时常用测发射极的对地电压是否为 来判断直流状态是否正常，如直流状态正常，电路的故障一般在耦合电容或旁路电容元件上。 12．稳压管工作在 区，其两端电压的很小变化会引起 通过 变化。 13．电路如下图所示，设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?，VDD=5V， VT=1V。Kn=0.2。试计算电路静态漏极电流IDQ和漏极电压VDSQ 解：由图得： （2分） 设MOS管工作在饱和区，求得漏极电流为： IDQ=Kn(VGS-VT)2=0.2×（2-1）2 ＝0.2mA （3分） 漏源电压为： VDSQ=VDD-IDRD =(5-0.2×15)=2V （3分） 由于VDSQ＞(VGSQ-VT)说明MOS管工作在饱和区，计算正确。（2分） 14．电路如下图所示，设集成运算放大器是理想的元器件。 （1）试求输出电压的表达式； （2）试分析本电路的主要特点？ （1）输出电压的表达式： 对于A1、A2，由虚短和虚断可得（V1-V2）和（V3-V4）的关系： A3是求差电路，可得： （2）电路的主要特点:三运放电路是差动放大器，放大倍数可由R1调节。由于输入均在同相端，此电路的输入电阻高。 17．如下图， （1）．设变压器副边电压的有效值V2＝20 V，求VI＝？说明电路中T1、R1、DZ2的作用 （2）．当VZ1＝6 V，VBE＝0.7 V，电位器RP箭头在中间位置，不接负载电阻RL时，试计算A、B、C、D、E点的电位和VCE3的值 （3）．试分析输出电压Vo过低时可能的故障原因 解： （1）、VI＝（1.1～1.2）V2 取 VI＝1.2V2 则 VI＝1.2V2＝1.2×20＝24V T1、R1和DZ2为启动电路 （2）、VA＝VI＝24 V VB＝VO＝12 V VC＝VD＝VZ1＝6 V VCE3＝VA－VO＝24 V－12 V＝12 V （3）、 输出电压Vo过低时的故障原因有以下几种： T3截止或开路，R3短路、R4开路，R4开路，R2开路，Dz2击穿、Dz1击穿。 18、设计： 请设计一个单相桥式整流带电容滤波电路，要求