模拟电路0102第一讲半导体–二极管伏安特性.ppt

1.1 半导体的基础知识 1.1.1 导体、绝缘体和半导体 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体 1.1.1 导体、绝缘体和半导体 导体：　容易导电的物质，如铜、铝、铁、银　　 　　　　等。 绝缘体：不导电的物质，如塑料、陶瓷、石　　　　　 　　　　英、橡胶等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物 　　　　质。常用的有硅(Si)、锗(Ge)、砷化　　 　　　　镓(GaAs)等。电阻率10-3-109Ωcm 1.1.2 本征半导体 本征半导体：纯净且晶格方向一致的半导体晶体。 硅锗最外层电子都是4个，所以都是4价元素。 价电子 ： 外层的电子受原子核的束缚力最小，决定着物质的化学性质和导电能力。 共价键结构 ： 每两个相邻原子之间共有一对价电子。 自由电子 ：共价键中的电子，由于受到其原子核的吸引，是不能在晶体中自由移动的，只有获得足够的能量后才能挣脱共价键的束缚。 本征激发 ：在有外界激发的情况下,例如常温（ ）下，少数价电子获得一定的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象。 空穴　： 价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，就在原来共价键的位置上留下的一个空位。 本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 电子－空穴对 ： 在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，有一个自由电子，必定有一个空穴。 电子与空穴电荷量相等，极性相反。 自由电子和空穴的复合 ： 在自由电子和空穴的产生过程中，自由电子在热骚动过程中和空穴相遇而释放能量，电子—空穴对消失。 动态平衡： 它们与温度 的关系： 在常温下( )， 硅 锗 两种半导体导电性能都很弱 1.1.3 杂质半导体 杂质：掺入的元素。 杂质半导体：掺杂后的半导体。 受主杂质：掺入的三价元素。 空穴型(或称P型)半导体：掺杂受主杂质后的半导体。 施主杂质：掺入的五价元素。 电子型(或称N型)半导体：掺杂施主杂质后的半导体。 1.N型半导体 掺入微量的五价元素（如磷）所形成的N型杂质半导体： 热平衡条件（质量作用定律）：两种热平衡载流子浓度的乘积恒等于本征载流子浓度的平方： 电中性条件：假设在室温时杂质原子已全部电离，则带负电的自由电子浓度恒等于带正电的施主杂质离子和空穴浓度之和： 通常满足 　时： 2.P型半导体 掺入微量的三价元素（硼）所形成的P型杂质半导体: 多数载流子（多子）:空穴。 少数载流子（少子）:电子。 P型半导体中电子浓度n和空穴浓度p： 　　空穴的浓度近似等于受主杂质的浓度，与温度无关。 　　电子的浓度与受主杂质的浓度成反比，且随温度的升高而迅速增大。 1.2 PN结与半导体二极管 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的电容特性 1.2.4 半导体二极管及其参数 1.2.5 二极管的电路模型 1.2.1 PN结的形成 PN结：通过掺杂工艺，把本征硅（或锗）片的一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，并且保持晶格的连续性，在它们的交界面处形成一个很薄的特殊物理层。 扩散运动：由于存在浓度差引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动。 扩散电流：扩散运动所形成的电流。 空间电荷区（耗尽层、阻挡层）：在交界面附近出现的带电离子集中的薄层。 内电场：空间电荷区的左半部是带负电的杂质离子，右半部是带正电的杂质离子，从而在空间电荷区中就形成了一个由N区指向P区的内建电场。 漂移运动：在内电场的作用下，空穴向P区漂移，电子向N区漂移，载流子在电场作用下的这种运动。 漂移电流:漂移运动所形成的电流。 动态平衡:从P区中扩散到N区中的空穴数与从N区中漂移到P区中的空穴数相等，从N区中扩散到P区中的电子数与从P区中漂移到N区中的电子数相等。 接触电位差 : 达到动态平衡后的PN结，内建电场的方向由N区指向P区，N区与P区的电位差： l.2.2 PN结的单向导电性 1.PN结外加正向电压 PN结外加正向电压（正向偏置）：将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极。 PN结正向偏置时，空间电荷区的宽度减小，两侧的离子电荷量减小，多子扩散运动大大增强而少子漂移运动进一步减弱。 扩散电流占主导地位，在外电路中形成一个流入P区的电流 。 在正常工作范围内，PN结上外加电压 只要稍有增加，就能引起正向电流 显著增加。因此正向PN结表现为一个很小的