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ZnO压敏电阻器的性能及发展 傅静徐政 (同济大学材料科学与工程学院，上海200092) 摘 要 简要回顾了ZnO压敏电阻器的历史，阐述了ZnO压敏电阻器的性能以及-3前基础性研 究的现状，并对其发展进行了展望。研究了Bi202和Ti02的掺杂对低压ZnO压敏电阻性能和微观结构 的影响规律，从理论上分析了Bi203和Tj02添加剂的作用机理。为ZnO压敏电阻的低压化提供了理论 依据和方法。 关键词 ZoO压敏电阻器性能发展添加剂 Bi203Ti02晶粒生长 Iesis． 结体的微观结构。很多资料和文献对它的化学性 压敏电阻相应的英文名称叫“Variable 能、物理性能、电气性能和微观结构进行了讨论。 tt，r”，简称为“Varistor”。压敏电阻器的电阻材料是 半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现 1．1化学性能 在大量使用的ZnO压敏电阻器是以ZnO为主晶 相的半导体陶瓷。ZnO压敏电阻是一种多功能新 型陶瓷材料，它是以ZnO为主体，添加若干其它 化物使其具有非线性。这些氧化物的引入，在晶 氧化物(主要为过渡金属氧化物)改性的烧结体材 粒和晶粒边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺 料，由于它具有性价比高、非欧姆特性优良、响应 陷支配着耗尽层，而受主或类受主缺陷支配着晶 时间快(20～50ns)、漏电流小、通流容量大等优粒边界状态。根据对ZnO中缺陷平衡的研究，由 点，因此被广泛应用于电子设备和电力系统及其 缺陷向边界层不相等的迁移能够形成缺陷引起的 它领域。随着电子产品的小型化、集成化，对低压 势垒。 压敏电阻的需求量越来越大¨，2j。 1．2物理性能 ZnO压敏电阻器的非线性是一种晶粒边界现 l 性能[1～7] 象，即在相邻晶粒耗尽层中存在的多数电荷载流 子(电子)的势垒，认为肖特基势垒最像ZnO微结 ZnO压敏瓷具有如下优点： 构中晶粒边界势垒。晶粒边界上的负表面电荷 (1)线性指数高(a50)； (电子捕获)是由晶界两侧晶粒的耗尽层中正电荷 (2)吸收能量的能力大(能量容量可达350J／来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传输 cm3)： 机制。 (3)压敏电压和能量吸收的能力可以在很大 1．3电气性能 的范围内加以控制； 从ZnO压敏电阻器伏安特性来看，在正常工 (4)原料价格比较低廉，性能容易控制，工艺 作电压下，它的电阻值很高，几乎是兆欧级、漏电 简单，对设备和环境洁净度要求较低，便于大批生 流是微安，而随电压加大，阻值急剧下降，在浪涌 产。 电压冲击时，阻值几十欧姆，甚至0．1～1Q，可见 ZnO压敏电阻器优异的非线性特性来源于烧 阻值随电压而变化。图l示出了典型ZnO压敏陶 作者简介：傅静(1978～)，女，硕士研究生．主要从事功能材料的研究 31 万方数据 TCR 片 式 压 敏 电 阻 DEVICE RATING AND SPECIFICATIONS 深圳市康泰嵩隆电子科技有限公司