以电沉积法制作大面积氧化锌薄膜和奈米柱阵列.pptVIP

以電沉積法製作大面積氧化鋅薄膜與奈米柱陣列 Jeng-Jia You Yih-Min Yeh Graduate Institute of Opto-Mechatronics and Materials WuFeng Institute of Technology Chia-yi, Taiwan 621, R.O.C. Key Words: ZnO films, ZnO nanorod arrays, electrodeposition, AAO template. Advisor：S.C.Wang Student：Shih-Kai Shu Outline Introduction Experimental Section Results and Discussion Conclusion Future work Introduction 氧化鋅 (ZnO) 是寬能隙且直接能隙特性的半導體材料之一，具有六方晶結構 (hexagonal structure) ，其室溫下能隙為3.37 eV，透過摻雜可得穩定的導電性，且激子鍵結能較高，為60 meV。 在室溫下仍有良好的發光效率，再者，在可見光波長內，氧化鋅的高穿透性更提高了做為光電元件上的應用性。 氧化鋅已經被廣泛地應用在太陽能的視窗層、壓電材料的表面聲波 (SAW) 元件、塊體聲波 (BAW) 元件、微感測器、微聲波