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数字电路与系统-w
数字电路与系统第8章 1 ? MROM的定时关系 8-3-3 ROM的扩展 ? 实现逻辑函数实例 例8-3 试用PROM实现9位B码至BCD码的转换 例8-4 ROM在组合逻辑设计中的应用 ? 利用ROM存储字库点阵 ——早期计算机固体字库 8-4 可编程逻辑阵列 PAL的优点与不足 优点:提高了设计的灵活性,有效减少了设计所用器件的数量。通常一片PAL可代替4~12片SSI或2~4片MSI。 缺点: 采用熔丝编程工艺, 只能编程一次,所以使用者要承担一定的风险; 另外由于不同型号的芯片的输出结构各不相同,这也给使用者在选择器件时带来一些不便。 工作时其存储的内容固定不变。只能读出,不能随时写入。 Read Only Memory §8-3 只读存储器( ROM ) ROM的分类 固定只读存储器——ROM,MROM 可编程只读存储器——PROM (Programmable Read Only Memory) 紫外线擦除可编程只读存储器——UVEPROM (Ultra Violet Erasable Programmable Read Only Memory) 电擦除可编程只读存储器——E2PROM (Electric Erasable Programmable Read Only Memory) 闪速存储器(Flash Memory)。 输出 电路 存储 矩阵 字线 位线 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出 控制端 W3 W0 W2 W1 1. 二极管 ROM 8-3-1 ROM的基本结构及工作原理 基本组成结构: ?地址译码器 ?存储矩阵 ?输出电路。 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 ? 给出任意一个地址码,译码器与之对应的字线变为高电平,进而从位线上便可输出四位数字量。 字线 位线 图中存储器的内容 工作原理: +VCC W3 W0 W1 W2 D0 D1 D2 D3 ? 字线和位线间有 MOS 管的单元存储0 2. MOS -ROM 矩阵 ? 字线和位线间无 MOS 管的单元存储 1 负载管 1 0 1 0 0 1 0 0 特点: 出厂时全部存储 “1”,用户可编程改写一次。 字线 位线 熔断丝 3. 可编程 ROM——PROM ?EPROM: 所存储的信息可以用紫外线照射擦除,重新编程。 ? EEPROM(E2PROM) : 电可擦除PROM 8-3-2 可改写PROM 低八位 低八位 高八位 高八位 地址 000-3FF 地址 400-7FF 8-3-4 ROM的应用举例 1. 用于存储固定的专用程序 2. 利用ROM可实现查表或码制变换等功能 查表功能 -- 查某个角度的三角函数 把变量值(角度)作为地址码,其对应的函数值作为存放在该地址内的数据,这称为 “造表”。使用时,根据输入的地址(角度),就可在输出端得到所需的函数值,这就称为“查表”。 码制变换 -- 把欲变换的编码作为地址,把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。 d0=∑m(1,2,4,7) d1=∑m(1,2,3,7) m(1,2, 4, 7) m(1,2,3, 7) b0直通 D 3 D 2 D 1 D 0 A 1 A 0 B 1 B 0 用适当容量的PROM实现2×2快速乘法器。 解 A1A0 —被乘数, B1B0 —乘数, 作为PROM的地址; D3D2D1D0 —乘积,作为ROM的内容存放在相应的存储单元。 ROM 容量为16×4位。 如果要实现m×n快速乘法器, PROM的容量至少为2m+n×(m+n)位。 例8-5 试用PROM实现字符发生器(或字符译码器)。 字符R的显示电路 D 4 D 3 D 2 D 1 D 0 A 2 A 1 A 0 0 Y 1 Y 2 Y 3 Y 4 Y 5 Y 6 Y 7 Y A 0 A 1 A 2 S A C S B S 模7计数器 CP W 0 W 1 W 2 W 3 W 4 W 5 W 6 74138 7×5 LED点阵 D 4 D
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