聊城大学《材料物理化学》晶体缺陷1.pptVIP

* * 根据质量作用定律： KF――Frenkel缺陷平衡常数 其中，[Mi.]=[VM]， 设缺陷数很小， 则 【MM]≈[Vi]≈1 [Mi]=KF1/2 * * 设Ef为生成Frenkel缺陷所需的能量，反应过程中晶体体积不变，则根据热力学原理： [Mi]=exp(-Ef/2kT) k为玻尔兹曼常数(1.380×10－23J/K) exp( ) f F E K kT - = * * 同理，对于Schottky缺陷： 以MX为例，M为Mg、Ca等 0 M O V V ·· = + * * [vo..]=[vm] [vo..]=exp(-Es/2kT) 设Es为生成Schottky缺陷所需的能量，则根据热力学原理： 0 M O V V ·· = + * * 对于Frenkel缺陷： 对于Schottky缺陷： 对热缺陷： 注：对原子晶体 影响因素：(1)、缺陷生成能E； (2)、温度T 。 / exp ( ) 2 E n N kT = - / exp( ) E n N kT =- * * T↑→热缺陷浓度↑↑ Eg. T：100℃→1000℃: nv/N↑ 109~1010 故在固相反应、扩散等需要反应形成热缺陷时，应适当提高T。 在晶体生长等需避免热缺陷出现时，应避免材料处于高温态。 所以通过控制温度来控制晶体内的热缺陷浓度是一种有效的方法。 四、热缺陷在外力作用下的运动 由于热缺陷的产生与复合始终处于动态平衡，即缺陷始终处在运动变化之中，缺陷的相互作用与运动是材料中的动力学过程得以进行的物理基础。 无外场作用时，缺陷的迁移运动完全无序； 在外场（如力场、电场、浓度场等）作用下，缺陷可以定向迁移，从而实现材料中的各种传输过程（离子导电、传质等）及高温动力学过程（扩散、烧结等）能够进行。 五、热缺陷与晶体的离子导电性 式中 n —— 单位体积中带电粒子的数目； V —— 带电粒子的漂移（运动）速度； ? —— 电场强度； z —— 粒子的电价。 则： j＝nzeV为单位时间内通过单位截面的电荷量。 ?＝V/?为带电粒子的迁移率。 总的电导率： 纯净MX晶体：只有本征缺陷（即热缺陷） 能斯特－爱因斯坦（Nernst-Einstein）方程： 式中 D —— 带电粒子在晶体中的扩散系数； n —— 单位体积的电荷载流子数，即单位体 积的缺陷数。 下标c、a —— 阳离子、阴离子 综上所述，晶体的离子电导率取决于晶体 中热缺陷的多少以及缺陷在电场作用下的漂 移速度的高低或扩散系数的大小。通过控制 缺陷的多少可以改变材料的导电性能。 * * （4） 两种热缺陷可共存，但一种为主要的： 点缺陷使点阵破坏，造成弹性畸变 Frenkel缺陷→较大畸变→破坏晶体稳定性→不易形成；条件：小填隙原子、大空隙 * * 置换杂质缺陷 间隙杂质缺陷 杂质缺陷与热缺陷的重要区别：若杂质含量在固溶体溶解度范围内，则杂质缺陷浓度与温度无关，只与杂质含量有关。 2.杂质缺陷： 外来杂质原子进入晶格产生晶格畸变。 亦称为组成缺陷或非本征缺陷。 杂质进入晶体→形成固溶体，破坏原有原子周期势场，使晶体的组成、结构及性质发生变化 若取代离子价态与被取代离子不同，则还会引入空位或离子价态的变化 杂质缺陷对材料性能的影响：微量杂质缺陷会极大改变基质晶体的物理性质，如：导电性、发光、颜色等，研究和利用这种缺陷的作用原理，对固溶体形成、材料改性、制备性能优越的固体器件等具有十分重要的意义。 * * * * 3. 非化学计量结构缺陷： 指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。 实质：由基质晶体与介质中某些组分发生交换而产生，如TiO2-x 、Fe1-xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。 特点:其化学组成和缺陷浓度随周围气氛性质及分压大小而变化，是一种半导体材料。 4. 电荷缺陷 指质点排列的周期性未破坏，但因电子或孔穴的产生，使周期性势场发生畸变而产生的缺陷。 由能带