全碳化硅（SiC）模块技术.PDFVIP

全碳化硅(SiC)模块技术 All SiC Module Technique 邓隐北，张子亮，唐庆伟 编译 河南亮明科技有限公司 摘 要：SiC器件等下世代功率半导体，具有高耐压、低损耗以及可高频、高温操作这些优越的特性。为了最大限度地 发挥这些优势，开发了器件由铜插头连接、由环氧脂密封的新型功率模块结构。利用这一结构，提高了温度循 大幅度小型化。 关键词：碳化硅，功率芯片，铜插头，环氧树脂，温度循环容限，低电感设计，模块技术 中图分类号：TN6 文献标识码：B 文章编号：1606-7517(2014)11-4-134 1 前言 功率模块愈益广泛适用于需要有效进行电力变换的领 域，例如，近年来引人注目的太阳能光伏发电和风力发电等 可再生能源领域，以及混合式汽车及电动汽车等车载领域。 作为功率半导体主力的硅器件，正在接近性能的极 限。而作为一种新型宽禁带半导体材料，碳化硅因其出色 的物理及电特性，正越来越受到产业界的广泛关注。SiC 电力电子器件的重要优势在于具有更高的击穿电场强度 6 V/cm)，其最高结温可达600℃等。由于这一半 (2~4×10 导体器件的高耐压、低损耗、可高频高温操作的优越特 性，突破了硅基功率半导体器件电压（数KV）和温度(＜ 150℃)所导致的严重局限性。随着SiC材料技术的进步， 图1 全SiC模块的新结构 各种SiC电力电子器件被研发出来。SiC功率器件又可分 1(a)]。而在图1(b)所示的新结构中，功率芯片的配线采 为SiC-MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）与 用了由铜接头连接的无导线、无焊接的结构，此外，由 SiC-SBD（肖特基势垒二极管）。本文，将对可最大限度发 N （氮化硅）陶瓷基板贴合厚铜板的散热基板，取代了 Si 3 4 挥SiC-MOSFET和SiC-SBD等此类SiC器件所具性能的 全SiC模块技术予以介绍。 原来的DCB基板。即使结构中无金属基板，也能达到低 的热阻抗。因此，对供给功率芯片大电流时芯片上的温升 2 全SiC模块结构 能予以抑制，故可实现SiC器件的高密度安装和模块的小 图1所示为功率模块的原来结构与全SiC模块的新型化。与此同时，因采用作为密封材料的环氧树脂，与原 来的硅凝胶比较，能缓解功率芯片结合部的变形和应力， 结构，原结构中功率芯片(chip)的配线由铝线形成，是 将DCB（直接铜结合）基板与金属基板用焊锡焊接的[图因而提高了可靠性。 磁性元件与电源 2014.11 134 · 3 实现全SiC模块的主要技术 要确保SiC器件在高温操作中的可靠性，以及实现快 速的开关切换是开发中的课题。新结构中，考虑到模块高 温操作可靠性之一的功率循环容限，取决于芯片上、下结 合材料的寿命，因此，为提高高温操作的可靠性，必须使 构成模块的结合材料高耐热化；同时，保护器件及其结合 部的密封材料也需要达到高耐热化。此外，为了适应SiC 器件的高速切换，限制浪涌电压的模块内部电感必须减小， 新结构中因为是无导线连接结构，故能实现低电感化。 3.1 利用高耐热性密封材料提高可靠性