小方锭检验标准书.docVIP

青岛隆盛晶硅科技有限公司 供应商质量保证协议书 （小方锭标准） 供 应 商： 江苏宏宝光电科技有限公司 文件编号： LS2014KJHT-001 青 岛科 技 有 限 Qingdao Longsun Silicon Technology Ltd 公司标准 文件名称：磨面倒角小方锭标准 版本：A/3 文件编号: QDLS/PB-BZ-06 页数：2 of 4 项目名称 要求及标准 处理方式 外观 裂纹 不允许存在裂纹 　裂纹部分切断 孔洞 不允许存在孔洞 　孔洞部分切断 硬伤 记录 　超过8mm部分切断 划伤\划痕 无手感 　打磨或切除 崩边\崩角 记录长度 　中间部分超过10mm,2端超过8mm部分切断； 塌边 端面＜2mm；棱边不允许 　切断或回炉 大晶粒 从端面看，大晶粒总面积超过1/4端面面积，不允许 隔离、标识后，做切片跟踪 或切断、回炉 红外探伤 硬质点 记录 单个明显黑点超过2.5mm或合格硅块区内1mm-2.5mm大小黑点不能超过5个 阴影 记录 深黑色且长度超过10mm的切除 微晶 记录 裂痕 记录 裂痕部分切断 尺寸 边长 标准：156.0±0.4mm 　正偏差打磨，负偏差回炉 对角线 219.2±0.5mm 打磨　 斜面 ＜2mm 打磨或切断 倒角 标准：1.0-1.5mm 　打磨或切断 长度 ≥60mm 　有效长度＜60mm的回炉 垂直度 90°±0.25° 　正偏差打磨，负偏差回炉 产品参数 导电类型 P型（掺硼） 　 电阻率 1-3Ω.cm 头中尾3点　 少子寿命 平均＞4μs（有效区域内） 头3us,尾2us去除　 氧含量* 5×1017atom/cm3 　 碳含量* 1×1018atom/cm3 　 青 岛科 技 有 限 Qingdao Longsun Silicon Technology Ltd 公司标准 文件名称：铸锭去头尾处理标准 版本：A/1 文件编号: QDLS/PB-BZ-11 页数：3 of 4 硅块（小方锭）去头尾处理标准： 定义 ：（示意图见图一） 头部---T1料：每个硅块从头部最顶端的10mm，称为T1料 T2头料：头部去除T1料后，判定应去除的部分，称为T2头料 尾部—H料：半熔工艺中从硅块尾部未熔孔洞部分至其上10mm处的部分 T2尾料：半熔工艺中尾部切除H料后，判定应去除的部分； 尾料：全熔工艺中尾部判定应去除的部分。 2）处理标准 a. 半熔工艺：按T1、H料、T2头料、T2尾料顺序进行切断，并分类。 b. 正常工艺（全熔）：按T1、T2头料、尾料顺序进行切断，并分类。 边皮料处理 开方后的边皮（不区分工艺）：头部20mm归类为顶条料，进行切断； 剩余部分归类为边皮料。 清洗后验收标准 清洗后的合格回收硅料必须表面光滑并满足以下要求： 3.1硅料外表面或其中含有以下成分时，必须对其进行喷砂打磨平整， 头料的凸起物、杂质层 边皮料和尾料的凹坑、细小颗粒、杂质 H料（含孔洞的部分）必须经过超声波清洗 3.2清洗后的回收料不得含有以下项目： A. 异物：原料上/中含有黄色结晶体、细小颗粒、石英，石墨（碳），胶，涂层杂物，灰尘、头发、纸片等非硅物质。 B．脏污：原料表面有油污，切割液痕迹、污物。 C. 水印，酸/碱印，氧化色，容器印记，指纹 D. 对于疏松或有裂纹缝隙的硅料，应将裂纹缝隙处敲开检验是否有酸碱印记未清洗干净。并按上述标准检验。 3.3 包装： 内部用双层厚塑料进行塑封包装，无破损。 外部用瓦楞纸箱，每箱毛重不超过42kg。 3.4标识：至少包含以下信息 内包装每袋需标识：名称、分类、PN型和电阻率、清洗状态、净重 外包装每箱外需张贴：名称、分类、清洗状态、净重、生产厂家 一：（1）半熔工艺条件下开方后硅块头尾部切除示意图 （2）正常工艺（全熔）条件下开方后硅块头尾部切除示意图 正文结束，以下空白甲方： 乙方： Party A: Party B: 代表人： 代表人： 时间：年 月 日 时间： 4 青