SiC掺杂量对Diamond／Cu复合材料导热性能的影响.pdfVIP

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2017-05-16 发布于河南
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SiC掺杂量对Diamond／Cu复合材料导热性能的影响

学兔兔第 32卷第 3期粉末冶金技术 V01．32．No．3 2014年 6月 PowderM etallurgyTechnology Jun．2014 SiC掺杂量对 Diamond／Cu复合材料导热性能的影响木吴磊一徐国良贾成厂一陈惠高鹏梁栋 1)(北京科技大学材料科学与工程学院北京 100083) 2)(深圳海明润股份有限公司深圳 518126) 摘要：采用超高压熔渗法制备了Diamond／SiC／Cu复合材料，通过研究不同SiC含量下样品的热导率变化规律及界面性能，提出孤立界面模型。主要阐释孤立界面模型的适用条件、主要内容及定量公式。通过孤立界面模型，说明低 SiC掺杂量的必要性和Diamond骨架对于复合材料导热性能的重要性。结果表明，SiC最佳掺杂量为 15％，此时复合材料的综合性能最优：热导率 526．7W ·m一 ·K～，热膨胀系数2．4ppm／K，密度 3．74 cm ，节省原料成本近 15％。关键词：Diamond／SiC／Cu复合材料；孤立界面模型；c掺杂量；超高压熔渗 EffectofSiC dopingamountonthethermalconductivity ofDiamond／Cucomposites W u Lei¨ Xu Guoliang¨ JiaChengchang¨ ChenHui” GaoPeng¨ LiangDong ，，，，， 1)(UniversityofScience＆TechnologyBeijing，Beijing，100083) 2)(ShenzhenHaimingrunIndustrialCO．LTD，Shenzhen，518126) Abstract：Diamond／SiC／Cu compositeswerepreparedbyultrahigh pressure (5．5GPa)infiltration technique． Through the study ofthermalconductivityand interface propertieswith differentSiC dopingamount，the isolated interfacemodelwasproposed．Themodelconditions，main contentand quantitativeequationsofthetheory were discussedinthispaper．Based onthismodel，thenecessityoflow SiC dopingamountandtheimportanceofthe Diamondbondingskeletonwerewellillustrated．Theresultshowsthattheopt