半导体硅及硅基材料研究中的几个问题.pdfVIP

维普资讯 第30卷 第 5期 上 海 金 属 V01．30．N0．5 1 2008年 9月 SHANGHAIMETAI5 September，2008 半导体硅及硅基材料研究中的几个 问题 屠海令 (北京有色金属研究总院半导体材料 国家工程研究中心，北京 1O0O88) 【摘要】 叙述 了大直径硅单晶生长，计算机数值模拟以及绝缘体上硅 (SOI)、锗硅 (siGe)和应变硅等硅基材料的研究进展 ，讨论 了硅 中缺 陷演化、杂质特性、缺 陷工程和表 面与界面质量控制，展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景。 【关键词】 大直径硅单晶 硅基材料 缺陷 杂质 SEVERAL ISSUESIN SEⅣⅡCoNDUCToR SILICoN AND SILICoN BASED MATERIALSRESEARCH TuHailing (NationalEngineeringResearchCenterforSemiconductorMaterials， GeneralResearchInstituteofrNonferrousMetals) 【Abstract】 Thefeaturesizeoftheintegratedcircuitshascontinuouslyreducedandthemajor siliconwaferdiametershifting to 300mm ． The challenge confrontedby demandinghisher quality and lowercosthasbeen the mostpressing issueofrsemiconductorsilicon materials．Th ecurrentpaper reviewsthedevelopmentofthelargediametersiliconcrystalgrowth，defects，impuritiesinsilicon，the surfacenadinterfacequalitycontrolanddefectengineering．Th eemergingsiliconbasedmaterials：silicon oninsulator(SOI)，silicongermanium (SiGe)nadstrainedsiliconhavebeendiscussed。Theprosperity ofbulksiliconnadsiliconbasedmaterialsinthe “MorethanMoore” (MtM)erahasbeenforecasted． K【eyWords】 LargeDiameterSiliconCrystals，SiliconBasedMaterials，Defects，Impurities 1 前 言 和发展 ，已在器件与电路应用方面取得了引人注 半导体硅作为信息产业的基础材料已有半个 目的进展。 世纪的历史。近年来 ，微 ／纳 电子 、光 电子技术 2 大直径硅单晶生长 的发展不断对半导体硅材料提出新 的需求 。2007 进入 21世纪 以来，大直径硅单晶一直是热 年国际半导体技术路线图 (ITRS)列出了一系列 门的研发课题 ，图 1所示为直拉硅单 晶生长中… 更严格的材料标准。大直径硅单晶和硅基材料的 传质、传热及缺陷形成的过程。 目前国际上 均匀性、完整性及表面质量将成为决定新一代器 300ram硅片 已经超