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Ru多层膜的微观结构与磁电阻
学兔兔
第 19卷第5期 粉末冶金材料科学与工程 2014年 10门
、白1．19No．5 MaterialsScienceandEngineeringofPowderMetallurgy 0ct．2Ol4
电子束蒸发法制备Co／Ru多层膜的
微观结构与磁 电阻
郝安林
(安阳工学院，安阳 455000)
摘 要：采用电子束蒸发法制备具有不同co层厚度的CoR／u多层膜。采用x射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜
(HRTEM)、扫描电镜(TEM)等对多层膜的微观结构进行观察与分析，研究多层膜微观结构对多层膜磁阻性能的影
响，并探讨多层膜磁阻的产生机理。结果表明；Co层的厚度 。对于薄膜的微观结构和磁阻性能有很大影响，当
C／o≥0．8nnl时CoR／u多层膜以层状方式连续生长，且tc。越大，薄膜结晶越完整，薄膜呈现负磁阻效应；当zco=
0．5nrfl时，Co／Ru多层膜为岛状生长，CoR／u界面的不对称性使得薄膜出现正磁阻效应。
关键词：多层膜；微观结构；磁电阻；电子束蒸镀
中图分类号：TGl13．22 文献标识码：A 文章编号：1673—0224(2014)5．0832—07
M icrostructureandmagneto—resistorofCo／Rumultimembranes
fabricatedbyelectronbeam vapordepositionmetheod
HAOAn—lin
(AnyangInstituteofTechnology,Anyang455000，China)
Abstract：TheCo／RumultimembraneswithdifferentthicknessofCo layerwerepreparedby electronbeam vapor
deposition．XRD，HRTEM andTEM wereemployedtoinvestigatethemicrostructureofthemultimembranes．Theeffect
ofmicrostructureonmagneticpropertiesandthemagneto—resistororiginmechanism ofCo／Rumultimembraneswere
discussed．Theresultsshow thatthethickn essofColayerhasgreateffectonthemicrostructureandmagneto—resisitor
propertiesofthemultimembranes．WhenthethicknessofColayerismorethan0．8am．thegrowthofmultimembranes
followsFrank—vanderMerwemodewhilethecrystallinityisbetterwiththethickn essoftheColayerincrease，andthe
multimembranesshow negativemagneto—resistna ceeffect；whenthethicknessofColayerislessthan0．5nm ，thegrowth
ofmult
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