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工业硅酸浸去除金属杂质钙
· 64 · 中 固 有 色 冶 -A- + B卷研究开发篇 试·验研究
工业硅酸浸去除金属杂质钙
麦 毅 ,马文会 。,谢克强 ,唐建文
(1.昆明理工大学真空冶金国家工程重点实验室,云南 昆明 650093;2.昆明理工大学冶金与能源工程学院,
云南 昆明 650093)
摘『 要1 研究了HF—HC1浸出剂体系中,HF含量、HC1含量、浸出时间和硅粉粒度等因素对除钙的影
响。结果表明,HF含量是最主要的影响因素;在2%HF一3%HC1、室温20℃、5h的最佳条件下,钙的去除
率达到84.5%;在HF—HC1浸 出剂体系中,CaF的形成降低了钙的去除率。电子显微镜和能谱分析发现 ,
工业硅中存在含钙四元系金属间化合物sisA1Fe4Ca,该化合物易被低浓度氢氟酸去除。
f关键词] 工业硅;酸浸;除钙
中【图分类号】0613.72 [文献标识码]A 文【章编号] 1672—6103(2013)03—0064—04
硅是光伏产业中使用最多的材料 ,目前 ,生产 现除杂。湿法去除包括钙在 内的金属杂质的研究报
太阳能级硅的主要原料为电子级硅废料。随着光伏 道已经较多。S.K.Sahut1研究了盐酸作为浸出剂 ,氧
产业的发展 ,太阳能级硅需求每年以30%的速度增 化剂三氯化铁和过硫酸铵对去除工业硅中杂质的影
长 ,有限的电子级硅 已经不能满足光伏产业 的需 响,在 10mol/L盐酸 中加入 0.1mol/L三氯化铁 ,在
求u 。然而,当前工业硅的产量却很丰富,以工业 90℃条件下,钙的去除率可达66%t4。Santos研究
硅为原料制备太阳能级硅的方法包括西门子法、流 了单一盐酸和氢氟酸对去除金属杂质Ca、Fe和Al的
化床法和冶金法 ,其中冶金法因能耗和成本低,适 影响。
合于大规模生产。冶金法工艺包括:湿法除杂、真空 YiMAI等比较了多种酸及其组合酸对工业硅
精炼 、定向凝固等 ,冶金法的过程其实质就是除 中杂质的去除效果 ,发现HF—HC1除杂能力最强。
杂提纯的过程。 本文研究了HF—HC1浸出剂体系中,HF浓度、HC1浓
太阳能级硅要求硅的纯度达到6N以上 ,杂质 度、时间和工业硅粒度对去除钙的影响,并通过显微
含量过高将严重影响太阳能电池光电转换效率 。 镜观察了含钙杂质相在HF中的去除变化。
钙是能显著降低太阳能电池效率的杂质元素之一, 1 实验原料与方法
太阳能级硅要求钙的含量小于2x10 。
1.1 实验原料
工业硅中钙的含量在几百到上千个ppm,Angleziot“]
实验原料为云南某硅厂所生产的工业硅。块状
研究认为,工业硅在冷凝过程 中,钙 以CaSi:、SiA1Ca
工业硅破碎 ,细磨至 lO0%dx于O.074mm后进行磁
等杂质相偏聚在 晶界处。Santos。还认为ca能以
选 ,磁选数次后,取样进行分析和实验。原料处理和
Si—Fe—A1一Ca四元系和Si—Fe—Al—Ca—Ti五元系杂质
实验流程见图1。原料中的杂质含量采用 ICP—AES
相存在。
分析,主要成分见表 1。
冶金法制备太阳能级硅钙的去除主要在湿法预
表1 原料成分
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