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工业硅酸浸去除金属杂质钙

· 64 · 中 固 有 色 冶 -A- + B卷研究开发篇 试·验研究 工业硅酸浸去除金属杂质钙 麦 毅 ,马文会 。,谢克强 ,唐建文 (1.昆明理工大学真空冶金国家工程重点实验室,云南 昆明 650093;2.昆明理工大学冶金与能源工程学院, 云南 昆明 650093) 摘『 要1 研究了HF—HC1浸出剂体系中,HF含量、HC1含量、浸出时间和硅粉粒度等因素对除钙的影 响。结果表明,HF含量是最主要的影响因素;在2%HF一3%HC1、室温20℃、5h的最佳条件下,钙的去除 率达到84.5%;在HF—HC1浸 出剂体系中,CaF的形成降低了钙的去除率。电子显微镜和能谱分析发现 , 工业硅中存在含钙四元系金属间化合物sisA1Fe4Ca,该化合物易被低浓度氢氟酸去除。 f关键词] 工业硅;酸浸;除钙 中【图分类号】0613.72 [文献标识码]A 文【章编号] 1672—6103(2013)03—0064—04 硅是光伏产业中使用最多的材料 ,目前 ,生产 现除杂。湿法去除包括钙在 内的金属杂质的研究报 太阳能级硅的主要原料为电子级硅废料。随着光伏 道已经较多。S.K.Sahut1研究了盐酸作为浸出剂 ,氧 产业的发展 ,太阳能级硅需求每年以30%的速度增 化剂三氯化铁和过硫酸铵对去除工业硅中杂质的影 长 ,有限的电子级硅 已经不能满足光伏产业 的需 响,在 10mol/L盐酸 中加入 0.1mol/L三氯化铁 ,在 求u 。然而,当前工业硅的产量却很丰富,以工业 90℃条件下,钙的去除率可达66%t4。Santos研究 硅为原料制备太阳能级硅的方法包括西门子法、流 了单一盐酸和氢氟酸对去除金属杂质Ca、Fe和Al的 化床法和冶金法 ,其中冶金法因能耗和成本低,适 影响。 合于大规模生产。冶金法工艺包括:湿法除杂、真空 YiMAI等比较了多种酸及其组合酸对工业硅 精炼 、定向凝固等 ,冶金法的过程其实质就是除 中杂质的去除效果 ,发现HF—HC1除杂能力最强。 杂提纯的过程。 本文研究了HF—HC1浸出剂体系中,HF浓度、HC1浓 太阳能级硅要求硅的纯度达到6N以上 ,杂质 度、时间和工业硅粒度对去除钙的影响,并通过显微 含量过高将严重影响太阳能电池光电转换效率 。 镜观察了含钙杂质相在HF中的去除变化。 钙是能显著降低太阳能电池效率的杂质元素之一, 1 实验原料与方法 太阳能级硅要求钙的含量小于2x10 。 1.1 实验原料 工业硅中钙的含量在几百到上千个ppm,Angleziot“] 实验原料为云南某硅厂所生产的工业硅。块状 研究认为,工业硅在冷凝过程 中,钙 以CaSi:、SiA1Ca 工业硅破碎 ,细磨至 lO0%dx于O.074mm后进行磁 等杂质相偏聚在 晶界处。Santos。还认为ca能以 选 ,磁选数次后,取样进行分析和实验。原料处理和 Si—Fe—A1一Ca四元系和Si—Fe—Al—Ca—Ti五元系杂质 实验流程见图1。原料中的杂质含量采用 ICP—AES 相存在。 分析,主要成分见表 1。 冶金法制备太阳能级硅钙的去除主要在湿法预 表1 原料成分

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