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八章 禁带比较宽 10.一阶张量, 极性晶体 11.电子位移极化, 离子位移极化, 固有电偶极的取向极化, 空间电荷极化 12.晶体的自发极化随温度而变化的现象; 红外探测器件 13.一1-5 DBA AD 7CAB 8 A 定; 不一定 14.热释电性质:晶体所表现出的自发极化随温度而变化的性质. 15.压电效应:在应力作用下,一些电介质发生极化,在对应的晶面上产生电荷的现象. 16.答: 热释电性质是晶体的自发极化随温度而变化的性质. 要求: 红外吸收系数大,热容较小, 介电常数小, 介电损耗小, 密度小且易加工成型. 17. 答: 一些热释电材料自发极化反转极化需要较高的外加电场,如需要电场高于击穿电压,材料就无法表现出铁电性质,因此从材料的内禀性质上讲,铁电材料与热释电材料属于同一类.具有铁电性质的材料一定具有热释电性质,但具有热释电性质的材料不一定具有铁电性质. 答: 四方结构的 BaTiO3 具有热释电性质和铁电性质. 因为是极化晶体且具有 自发极化,不需要较高的外加电场. 立方体结构的 BaTiO3 不具有介电性质. 压电性质. 热释电性质. 因为是非极化晶体,且具有中心对称. 答: 在没有外电场存在时,石英晶体沿三个极轴方向极化, 但三个方向上的极化互相抵消,因此晶体不表现宏观电极性.当沿一个极轴方向压缩或拉伸时,3个方向上的极化强度发生变化,表现出压电性质;而在受热均匀时,电荷沿各个极轴的位移是相同的,因此正负电荷中心保持重合,不会表现热释电性质. 九章 1 2.C 3.C 4.C 5.C 6.A 7.C 第一类，第二类超导体。 9.阳离子导体；阴离子导体 10.强电子—声子耦合 零，电子，声子 12.正常态；超导态 13.零电阻，完全抗磁性 迈斯纳效应 15.导带，价带 16.电子迁移；空穴 17.自由电子；电子；空穴 超导：在有限温度下材料的电阻发生突变转变为零的现象。 超导转变温度：在没有磁场存在下，材料由正常态转变为超导态的相变温度。、 超导体：在有限温度下，具有超导性质的一类材料。 掺杂原子 掺杂能级 载流子 n型半导体 磷，砷等核电荷数高于硅的第V族元素 施主能级 电子 p型半导体 铝，镓等核电荷数小于硅的第III族元素 受主能级 空穴 答: Hall效应原理,对于空穴导电的P型半导体，沿电场方向运动的空穴受到沿y方向的Lorentz偏转力，使空穴产生沿y方向的运动，此方向上的电荷积累使y方向产生附加电场Ey。 答：晶体的部不完整性在主要有两个方面的来源： (当体系温度高于热力学零度时，金属原子产生热运动。 (实际晶体中总有各种各样的晶格缺陷，破坏了晶体的周期性，使电子波散射，产生所谓的剩余电阻。 十二章 1 D 2 D 3 C 4 D 5 A 6 B 7 D 8 辐射发光 冷光源 9 1x10-6（1ppm） 10 硅光电池 光电倍增管 11 漫反射光谱 激发光谱 发射光谱 12 敏化剂 激发剂 13 上转化过程 下转化过程 14 温度性好，发光效率高，色纯度好 15 能量，相位，方向，偏振 16 高温下剧烈振动产生的。 17 - 20 x x x x 21 冷发光：电子在不同能级之间越迁产生，涉及低得多的热效应 22 上抓化过程：材料吸收两个能量较低的光子，这两个光子叠加发射出一个能量高于激发光子能量的荧光，其量子效率不会超过0.5。 23 下转化过程：材料吸收一个能量较高的光子，发射出两个能量远低于激发光子的光子，在种发射过程中，量子效率大于1。 24 浓度猝灭：当激活剂的浓度达到并超过一定的数值后，发光效率不再提高,反而开始下降,这种现象为浓度猝灭. 25 复合发光中心: 发光中心的激活剂离子的外层电子受到周围晶体场的作用强,以致发光中心在受激发时发生电离,电离的电子进入晶体的导带,参与晶体的光电导作用,电子与空穴在发光中心复合,释放出能量以可见光的形式发射出来. 26 答: 基矢,LaPO4 敏化剂,Ce3+ 激活剂，Tb3+ 27 答：stakes位移：激发光与发射光的能量差。发反stakes位移：材料吸收两个能量较低的光子，这两个光子叠加发射出一个能量过高于激发光子的荧光，此过程中吸收光子的能量和发射光子能量的差值。 28 当体系吸收电磁辐射能量时,便发生从基态g向激发态e的跃迁.吸收能量跃迁在激发态后,体系很快回到激发态的最低能级.在激发过程中,激发能 △EAB一般大于发射能EEM