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WWW.2IC.CN 集成电路工艺制程介绍 Table of Content 集成电路生产的3个阶段 机械性质 退火（Annealing） 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor-BJT） 短沟道效应—集成的结果 热电子效应（Hot Electron Effect） LDD(Lightly Doped Drain)—轻掺杂漏极 半导体元件的制程 图显示集成电路从晶圆的 （a）拉晶； （b）制造； （c）切割； （d）封装； 完成的简易流程； 图（e）为单一晶粒的集成电路放大图标 集成电路生产的3个阶段 习惯以线路制造的最小线宽、晶片直径及DRAM（动态随机存储器）所储存的容量来评断集成电路的发展状况。 集成电路生产的3个阶段 硅晶片（wafer）的制造 集成电路的制作 集成电路的封装（Package） 退火（Annealing） 原理： 利用热能（Thermal Energy），将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。所施加的能量将增加晶格原子及缺陷在物体内的振动及扩散，使得原子的排列得以重整。 机械性质—薄膜间的机械应力 双极型晶体管 ----（Bipolar Junction Transistor--BJT） 美国贝尔实验室(Bell Lab)发明，近代最重要半导体元件之一，获Nobel物理学奖； 如图：一个在