GaAsAlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验.pdfVIP

第35 卷第4 期 红 外 与毫米波学报 Vol. 35 , No .4 2016 年8 月 J . Infrar回Millim. Waves August ,2016 文章编号: 1∞1 -9014(2016 )04 -仰的 - 05 DOI:IO.11 972/j. issn. 1∞1 - 9014.2016. 04. ∞5 GaAs/ AIGaAs 双量子阱实空间转移效应模拟与实验 1 余威章l 气 靳 )11 , 自治中l ， 陈建新1 • ( 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与苦苦件重点实验室，上海 2创)()83 ; 2. 上海科技大学物质科学与技术学院，上海 201210) 摘要:用 投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂 GaAsIAIGaAs 双量子阱的能带结构. 得到基态能级与第­ 激发态的能级差为 43. 3 meV ，并由此推算得到产生载流子横向转移效应的电场强度为 1. 2 - 1. 8 kV/ cm 之间.采 用 MBE 技术生长了所涉及的双量子阱结构，通过优化退火条件.获得了较理想的金属一半导体接触条件.在此基 础上，测得在电场强度为1.5 kV/cm 时，电流一电压曲线呈现出负阻特性.该电场强度区别于 GaAs 耿氏效应的电 场强度， 由此判定，产生微分负阻的机理是电子由高迁移率导电层到低迁移率导电层的横向转移所效，即实空间转 移. 关键词: GaAsIAIGaAs; 微分负阻效应;实空间转移 中图分类号:0472 + .4 文献标识码:A Simulation and experience of realspace transfer etTect in GaAs/ AIGaAs double quantum weU l 2 1 1 YU Cheng-Zhang • , ß N Chuan , BAI Zhi-Zhong , CHEN Jian-Xin • ( 1. K ey Lahoratory of lnfrared lmaging Materials and Detector审， Shanghai lnstitute of TechnicaI Physics ,Shanghai 2α泊的， China; 2. Sch∞1 of Physical Science and Technology , ShanghaiTech University , Shanghai 201210 , China) Abstract : The band structure of a GaAsIAIGaAs double quantum well w描 叫culat创 vi a shooting meth- od and finite element method . The energy needed for a ground-excited state transition is 43. 3 meV , in- dicating 也at a 1. 2 to 1. 8 kV/ cm electric field can cause a horizontal transfer of carriers . The designed double quanωm well structure