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晶体化学基础 A 晶体中的化学键 B Pauling规则 C 等径球与不等径球的密堆积 D 密堆积与同质多象 E 典型无机化合物晶体结构 不等径球的密堆积 离子晶体的结构可以看作不等径球的密堆积，通过密堆积结构形式了解其特征。通常可把负离子看作等径球的堆积，正离子有序的填充在空隙里。有时也可看作正离子的密堆积，负离子填充空隙。 CdI2 CdCl2 ?八面体空隙 金红石TiO2 ?八面体空隙 六方ZnS 立方ZnS ?四面体空隙 CaF2 全部四面体空隙 NiAs NaCl 全部八面体空隙 hcp ccp 填隙类型 一些典型的二元化合物晶体结构 密堆积与同质多象 A1密堆积立方Co a = 3.544? A3密堆积六方Co a = 2.505? ? ac/21/2 c = 4.089? ? (2/3)?31/2ac 堆积层数发生变化 闪锌矿3C： a = 5.345? 纤锌矿2H： a = 3.822?， c =6.26? ZnS的多层堆积变体 立方3C：a = 5.345? 六方2H：a = 3.822?，c =6.26? 六方8H：a = 3.82?, c = 24.96? 六方10H：a = 3.824?, c = 31.2? aH ? aC / 21/2, c2H ? (2/3)?31/2aC c8H ? (8/3)?31/2aC c10H ? (10/3)?31/2aC 类似的堆积变体有六方和立方金刚石结构；立方和六方SiC结构等。 配位数发生变化 ?-Fe ?-Fe 键型的变化 阴离子形成A1最密堆积，阳离子占据所有的八面体空隙。沿[111]方向的堆积方式为： Ac Ba Cb Ac Ba Cb…. 氯化钠型及相关结构 典型无机化合物晶体结构 － 立方NaCl结构的AX型化合物 1、碱金属卤化物、氢化物和某些+1价金属卤化物，如 AgX等。 2、碱土金属和部分稀土、过渡金属氧化物和硫属化合 物，如TiO，NiO等。 3、稀土金属氮化物，如LaN等。 4、金属碳化物，如TiC，VC，UC等。 5、金属氮化物、磷化物、砷化物高压相，如GaN，InP， SnAs等 CsCl型及相关结构 阴离子形成简单立方(单层)堆积, 阳离子处于所有的立方体空隙中。 1、CsCl，CsBr，CsI和TlCl，TlBr，TlI等卤化物 2、RbCl，RbBr，RbI等高温相卤化物 3、FeAl，TlSb，LiHg，LiTl，MgTl，?-CuZn等有序合 金（化合物）相 4、CsCl型结构衍生相 ZnS型及相关结构 闪锌矿ZnS：S离子为A1最密堆积，Zn离子填在一半的四面体空隙。堆积方式为：沿[111]方向：Aa Bb Cc Aa Bb Cc….. －闪锌矿或纤锌矿结构的AB型化合物。 1、II-VI族化合物，如BeO，ZnO，BeS，ZnS，CdSe， CdTe，HgTe等。 2、III-V族化合物，如BN，BP，GaN，AlSb，InP等。 3、I-VII族化合物，如CuCl，CuI，AgI等。 4、IV-IV族化合物SiC。 纤锌矿ZnS：S离子为A3最密堆积，Zn离子填在一半的四面体空隙。堆积方式为：沿[001]方向：Aa Bb Aa Bb Aa Bb….. NiAs型及相关结构 NiAs：As为A3最密堆积，Ni填在所有的八面体空隙，堆积方式沿[001]方向：Ac Bc Ac Bc……。 1、过渡金属硫化物、硒化物、碲化物，如TiS，FeS， VSe，NiSe，CrTe，MnTe等。 2、合金体系，如CuSn，MnBi，NiSb，PdSn等。 3、六方NiAs结构的正交变体结构，如CrP，FeP， MnP，MnAs，VAs，CoAs等。 4、NiAs型有序超结构化合物 1) 阳离子交替占据在阴离子层间，对称性由 P63/mmc降低为P3m1, 如LiCrS2 等。 2) 阳离子空位有序, 如Cr2S3，Cr5S6等。 CaF2型及相关结构 Ca为A1最密堆积，F填在所有的四面体空隙。 F为简单立方堆积，Ca填充一半的立方体空隙。 －萤石(反萤石)结构的化合物 1、锕系金属氧化物及某些镧系金属和过渡金属氧化物。如ThO2，UO2，CeO2，HfO2等。 3、碱土金属氟化物及某些过渡金属氟化物，如SrF2，BaF2，CdF2，PbF2等。 4、金属间化合物及某些硅化物、过渡金属氢化物