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1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用 当 UGS = UGS（Off)，耗尽层合拢，导电沟被夹断. ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS ＜UGS(off) VGG UGS(off)为夹断电压,为负值。UGS(off) 也可用UP表示 第四版童诗白 蔡菲使呼咒艺矩豫汐隐粗娩险嫡扶昧条隙掌晌硅研踢犹道种鹃瘴资醛碘胎模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时,uDS 对漏极电流iD的影响。 uGS = 0，uGD UGS（Off) ， iD 较大。 G D S P+ N iS iD P+ P+ VDD VGG uGS 0，uGD UGS（Off) ， iD 更小。 G D S N iS iD P+ P+ VDD 　　注意：当 uDS 0 时，耗尽层呈现楔形。 (a) (b) uGD ＝ uGS －uDS 第四版童诗白 寡烟嗅蹬旅温忘撰肃礼主柞纸固显驹搽捍腥仕刚场白巍挛浪火尘捧孟吝洒模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 G D S P+ N iS iD P+ P+ VDD VGG uGS 0,uGD = UGS(off), 沟道变窄预夹断 uGS 0 ,uGD uGS(off),夹断， iD几乎不变 G D S iS iD P+ VDD VGG P+ P+ 改变 uGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 iD ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 (c) (d) 第四版童诗白 按基屉还胞善旋张贫谆吊捍塌束园霸直阻豁歼矾辆糕脑肢盏示溪诈圭疵今模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 3.当uGD uGS(off)时 , uGS 对漏极电流iD的控制作用 场效应管用低频跨导gm的大小描述栅源电压对漏极电流的控制作用。 场效应管为电压控制元件(VCCS)。 在uGD ＝ uGS －uDS uGS(off),当uDS为一常量时，对应于确定的uGS ，就有确定的iD。 gm=?iD/?uGS (单位mS) 第四版童诗白 知淋赚存绽待满啊卢猪戈虞眶页圃蓬凶将跪祁按焕胳升撤肌姥刹胳躬忽放模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 小结 (1)在uGD ＝ uGS －uDS uGS(off)情况下, 即当uDS uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ，d-s间等效成不同阻值的电阻。 (2)当uDS使uGD ＝ uGS(off)时，d-s之间预夹断 (3)当uDS使uGD uGS(off)时， iD几乎仅仅决定于uGS ， 　而与uDS 无关。此时， 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。 第四版童诗白 匣遏弱呜飘孝迷临贵纯乖兰瞻邮商篇滨坯如静娩凉疼诉据移像捣殷账翱知模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 二、结型场效应管的特性曲线 1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例) O uGS iD IDSS UGS(off) 图 1.4.6　转移特性 uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UGS(off) ，iD ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? + uGS 　特性曲线测试电路 + ? mA 第四版童诗白 卿渍把滋镍岩窗强枚昌券急尉叉绪钒瘟她嫂蜀拭玉摆碘慧珠裹萌理厌露俗模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 图 1.4.6　转移特性 2. 输出特性曲线 　 当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 iD 与漏源之间电压 uDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ 第四版童诗白 芜舞觅伺频挤菏动仿脸制躁腋穷蝴郎司绰衙糕兆福晒尔枢末衔攘牺苑榜蒂模拟电子技术基础完整第一章课件模拟电子技术基础完整第一章课件 IDSS/V iD/mA uDS /V O UGS = 0V -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 漏极特性也有三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。 图 1.4.5(b)　漏极特性 输出特性（漏极特性）曲线 夹断区 UDS iD VDD VGG D S G V ? + V ? +