第三讲传感器.pptVIP

１８５６年英国物理学家汤姆逊发现材料的电阻应变效应以来，制成了世界上的第一片电阻传感器。其测力范围小到肌肉纤维，约５×１０-5N；大到阿波罗登月火箭，约５×１０７N，精确度可达到０.１％，０.０１～０.００５％。;半导体应变片; ; ; 刚度 力与形变之间的关系称为弹性特性。可以是直线１，也可是曲线２。 ;;;;; ; ;;膜 片;弹性元件材料的稳定性处理： 弹性元件加工以及热处理中，由于冷却速度不一致，金属组织的变化等引起的热应力、组织应力，以及放置过程中的时效变形等会影响弹性元件的精度和性能长期的稳定。 消除弹性元件残余应力的办法： １. 时效 ２. 退火 ３. 震动疲劳法 ４. 冷处理 ５. 超声处理;电阻应变效应; 应变片的构造与特点;应变片;;电阻应变效应 设有一根长为L、截面积为S、电阻率为ρ的金属丝，其电阻为：　　　　 R＝ρ.L/S; 根据材料力学的知识知道，（弹性范围）金属丝延长度方向伸长，径向尺寸缩小。既轴向应变ε与径向应变εr存在着下列关系。 εr＝－με μ――金属材料的泊松比。;膜 片;电阻应变片特性参数;横向误差;金属应变片的两端为半圆弧形的横栅，与直线部分不同。当应变片Y向拉伸时，θ＝９００只有拉应变ε，横向压变εr＝０；在θ＝００处，拉应力ε＝０，只有横向压变εr。任意角度θ的应变为： εθ＝１/２（ε＋εr）＋１/２（ε－εr）cos（２θ） 则电阻丝的伸长量为： △L＝△L１＋△L２ △L１――直线部分的伸长量 △L２――弯曲部分的伸长量 所以总伸长引起的总电阻相对变化为： △R/R＝KS △L/L ＝KX*ε＋KY*εr 当εr＝０时，可得轴向灵敏度系数KX，同样，当ε＝０时，可得横向灵敏度系数KY。 横向灵敏度系数与轴向灵敏度系数的比值，称横向效应系数H。既： H＝KX/KY＝(n-1)πr 2nl+(n-1) πr 由上式可以看出r越小，L越大，则H越小。敏感栅越窄，基长越长的应变片，其横向效应引起的误差越小。;应变极限;机械滞后、零点漂移、蠕变;动态响应与幅度误差 当应变片用于动态测量时，应变以波动形式经过试件、弹性元件、粘合层传至应变片。;测量电路; 单晶硅具有明显的压阻效应，机械性能十分良好。在硅单晶片表面沿一定晶向用扩散或离子注入的方式形成压敏电阻，并构成检测电桥。硅片是弹性元件，压敏电阻与弹性元件为一整体，传感器非常可靠。 压阻效应有两个变化：一是形状变化，包扩长度或截面积的变化。金属的电阻应变效应主要是形状变化所致；另一面是电阻率的变化，半导体压阻效应主要是由电阻率的变化所致。 固体受力产生应变而引起电阻的变化为： △R/R＝（１＋２υ）ε△ρ/ρ＝Kε K——为应变灵敏度。 △ρ/ρ１，故K＝１＋２υ≈２;作业：1、复习本次内容。2、在网络上收索相关内容，思考其应用场合。