第七章 与 硅薄膜材料.pptVIP

第七章 硅薄膜材料; 提纲 7.1非晶硅薄膜材料  7.1.1非晶硅薄膜的特征及基本性质 7.1.2非晶硅薄膜的制备 7.1.3非晶硅薄膜的缺陷及钝化 7.2多晶硅薄膜材料 7.2.1多晶硅薄膜的特征和基本性质 7.2.2多晶硅薄膜的基本制备 7.2.3多晶硅薄膜的晶界和缺陷; 硅材料最重要的形式是硅单晶，在微电子工业和太阳能光伏工业已经广泛应用，受单晶硅材料价格和单晶硅电池制备过程的影响，降低单晶硅太阳电池成本是非常困难的，发展了薄膜太阳电池产品来替代单晶硅电池。 ;7.1非晶硅薄膜材料;7.1.1非晶硅薄膜的特征及基本性质;与晶体硅相比，薄膜非晶硅具有如下的基本特征和性质 ;4）从能带结构上看，非晶硅不仅具有导带、价带和禁带，而且具有导带尾带、价带尾带，其缺陷在能带中引入的缺陷能级比晶体硅中显著，有大量的悬挂键，会在禁带中引入深能级，取决于非晶硅结构的无序程度。其电子输运性质出现了跃迁导电机制，电子和空穴的迁移率很小，对电子而言，只有1cm2 /Vs，对空穴而言，约0.1cm2 /Vs。室温下，非晶硅薄膜的电阻率高。5） 晶体硅是间接带隙结构，而非晶硅是直接带隙结构，所以光吸收率大。而且，禁带宽度也不是晶体硅的1.12eV，而是1.5eV，并且在一定程度上可调。 6）在一定范围内，取决于制备技术，通过改变掺杂剂和掺杂浓度，非晶硅的密度、电导率、禁带等性质可以连续变化和调整，易于实现新性能的开发和优化。;7）非晶硅比晶体硅具有更高的晶格势能，因此在热力学上是处于亚稳状态，在合适的热处理条件下，非晶硅可以转化为多晶硅、微晶硅和纳米硅。实际上，后者的制备常常通过非晶硅的晶化而来。;7.1.2 非晶硅薄膜的制备;图中表明悬挂键是怎样产生以及怎样被氢钝化，然而，1975 年报导了由辉光放电分解硅烷(SiH4)产生的非晶硅膜可以掺杂形成P-N 结。此膜中含有氢(SiH4 分解时所产生的)，在材料总原子数中占有相当的比例(5～10%)。一般认为氢的作用是如图7-2所示那样填补了膜内部微孔中的悬挂键及其他结构缺陷。 ; 这就减少了禁带内的态密度，并允许材料进行掺杂。非晶硅的制备需要很快的冷却速度，一般要大于105℃/s，所以，其制备通常用气相沉积技术，如：等离子增强化学气相沉积（PE-CVD）、溅射气相沉积（SP-CVD ）、光化学气相沉积（photo-CVD）和热丝化学气相沉积（HW-CVD）等。而最常用的技术是等离子增强化学气相沉积技术，即辉光放电分解气相沉积技术。;圈7-3 辉光放电系统的I-V 特性曲线;图 7-4 辉光放电系统的辉光区示意图;（1）辉光放电的基本原理在真空系统中通入稀薄气 体，两电极之间将形成放电电流从而产生辉光放电现象。图7-3 是辉光放电系统中的I-V 特性曲线，其曲线可以分为汤森放电、前期放电、正常放电、异常放电、过渡区和电弧放电等几个阶段。其中能实现辉光放电功能的是具有恒定电压的正常辉光放电和具有饱和电流的异常辉光放电。在实际工艺中，人们选择异常辉光放电阶段辉光放电时，在两电极间形成辉光区，从阴极到阳极，又可细分为阿斯顿暗区、阴极辉光、克鲁克斯暗区、负辉光、法拉第暗区、正离子柱、阳极暗区和阳极辉光等区域，如图7-4 所示。当电子从阴极发射时，能量很小，只有1eV 左右，不能和气体分子作用，在靠近阴极处形成阿斯顿暗区；随着电场的作用，电子具有更高的能量，可以和气体分子作用，;使光气体分子激发发光，形成阴极辉区。其中没有和气体分子用的电子被进一步加速，再与气体分子作用时，产生大量的离子和低速电子，并没有发光，造成克鲁克斯暗区。而克鲁克斯暗区形成的大量低速电子被加速后，又和气体分子用，促使它激发发光，形成负辉光区。对于阳极近区域，情况亦然。在两电极的中间存在一个明显的发光区域，称为正离子柱区（或阳极光柱区），在这个区域中，电子和正离子基本满足电中性条件，处于等离子状态。如果适当调整;电极间距，可以使得等离子区域（即正离子柱区）在电极间占主要部分，所以辉光放电分解沉积又可称等离子增强化学气相沉积。在辉光放电过程中，等离子体的温度、电子的温度和电子的浓度是关键因素。一般而言，辉光放电是低温过程，等离子100~500℃，而电子的能量在1～10eV 左右，电子的浓度达到109~1012/cm3，电子的温度达到104～105K。（2）等离子增强化学气相沉积制备非晶硅图7-5 是等离子增强化学气相沉积系统的结构示意图。反应室中有阴极、阳极电极，反应气体和载气从反应室一端进入，在两电极中间遇等离子体，产生化学反应，生成的硅原子沉积在衬底表面，形成非晶硅薄膜，而生成的副产品气体则随载气