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電路模擬實習二 電晶體之V-I特性曲線模擬學習目標 能藉由電路模擬來瞭解電晶體的V-I特性曲線。 能藉由電路模擬來瞭解電晶體特性 相關知識 -1電晶體的結構與符號 利用P型半導體與N型半導體，除了可以構成PN接面二極體外，還可以製造出另一個雙接面的元件，這就是雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor；簡稱BJT）。 雙極性接面電晶體一般簡稱電晶體，依其結構可分為NPN型電晶體與PNP型電晶體。NPN型電晶體是由兩層較厚的N型半導體夾著一層很薄的P型半導體所組成，如圖-1所示為NPN型電晶體的結構與符號；相反的，PNP型電晶體則是由兩層較厚的P型半導體夾著一層很薄的N型半導體所組成，如圖-2所示為PNP型電晶體的結構與符號。電晶體有三個接腳，分別是射極（Emitter；簡稱E）、基極（Base；簡稱B）與集極（Collector；簡稱C）。 (a)結構 (b)電路符號 圖-1　 NPN型電晶體 (a)結構 (b)電路符號 圖-2　 PNP型電晶體 -2 電晶體的工作原理 電晶體有兩個接面，分別是基－射極（B-E）接面（簡稱射極接面）與集－基極（C-B）接面（簡稱集極接面），根據PN接面所施加的偏壓（順向偏壓與逆向偏壓），我們可以將電晶體的工作區域分為下列三種情形，如表-1所示。 表-1 電晶體的工作區域 項目 基-射極(B-E)接面 集-基極(C-B)接面 主要功用 飽和區 (saturation) 順向偏壓 順向偏壓 開關電路(ON) 主動區 (active) 順向偏壓 逆向偏壓 放大信號 截止區 (cut off) 逆向偏壓 逆向偏壓 開關電路(OFF) NPN型電晶體與PNP型電晶體的工作原理相似，只是電壓、電流方向相反，現在我們將以NPN型電晶體為例，說明電晶體的工作原理。 一、電晶體IE、IB與IC的關係 一般來說，電晶體欲作為放大器使用必須工作在主動區，即基－射極（B-E）接面為順向偏壓，而集－基極（C-B）接面為逆向偏壓的，如圖-3所示。 圖-3 NPN型電晶體的偏壓 由於基－射極接面為順向偏壓，所以射極（N型）的多數載子（電子）受到VBE的正電壓吸引，越過射極接面往基極（P型）移動，但因基極很薄且雜質的摻雜濃度很低，所以只有極少數的電子會與基極的多數載子（電洞）結合，形成基極電子流IB，如圖-4所示。 圖-4　主動區偏壓的IB電子流 從射極發射出來的電子，除了極少數電子與基極的電洞結合形成基極電子流IB外，其餘絕大部分的電子受到集－基極（C-B）接面逆向偏壓VCB的正電壓吸引，會越過集極接面，形成集極電子流IC，如圖-5所示。 圖-5　主動區偏壓的IE、IB與IC電子流 因此我們可以看出三極之間電子流的關係為 【-1】 其中 為射極的電子流為基極的電子流 為集極的電子流因為電流的方向恰好與電子流的方向相反，如圖-6所示。所以若是以電流的角度來看，公式【-1】也是成立。 圖-6　主動區偏壓的電流方向 二、電流增益、與 利用電晶體的電流關係，我們定義了電晶體的一些重要的電氣特性參數，其中最重要的就是電流增益、與。 電流增益 是集極電流IC與射極電流IE的比值，其定義如下： 　 【-2】 一般而言，的值會略小於1。電流增益 是集極電流IC與基極電流IB的比值，又稱為hFE，其定義如下： 　 【-3】 一般而言，的值介於10～300之間。 電流增益 是射極電流IE與基極電流IB的比值，其定義如下： 　 【-4】 三、、與的關係 一般在設計電路或分析電路時常常會用到 (hFE）值，所以在電晶體的規格表中均可以查到 (hFE）值的大小。但有時候會需要使用到與值，所以這裡推導出、與之間的關係。 與的關係 【-5】 與的關係 【-6】 與的關係 【-7】 圖-7所示是電晶體的輸出特性曲線，在特性曲線中我們發現每一條曲線皆表示當輸入電流IB為定值時，集極電流IC與集－射極電壓VCE之間的關係，將來在實習單元六中也可以利用此輸出特性曲線來找出電晶體的工作點（集－射極電壓VCE與集極電流IC的值），這對於設計電晶體放大電路的偏壓將有極大的幫助。 圖-7　電晶體的輸出特性曲線 -3 判別電晶體的類型與好壞 一、判別電晶體的類型（NPN型或PNP型） 步驟1　將三用電表撥至，並作歸零調整。 步驟2　任選電晶體的兩個接腳，將測試棒接觸此兩個接腳，使三用電表指針大幅偏轉，此時這兩個接腳中必有一個接腳為基極。 步驟3　將任一個測試棒移至空接的接