半导体搀杂.ppt

* 微系统设计制造中的工程科学 ---物质中的原子结构 ---离子和离子化 ---物质的分子理论和分子间力 --- 半导体搀杂 --- 扩散工艺 --- 等离子物理 --- 电化学 --- 电液动力学 --- 量子物理学 普通物理内容: 不熟悉的话请复习! 自学! 半导体搀杂: 通过植入一定的外来夹杂物的方法来降低半导体的电阻率. ----在MEMS中的作用: a) 提高电导率; 提高压阻系数. b) 改变材料在腐蚀中的抵抗力. ----类型: P型(掺硼), N型(掺砷或磷) ----方式: 高温扩散, 离子注入 电阻率随搀杂浓度的变化情况见图3-8 扩散工艺: 见p73-79 辉光放电与等离子体 溅射的基本过程(以DC作用下的溅射为例)。在下图的真空系统中，靶材是需要溅射的材料，它作为阴极，相对于阳极的衬底加有数千伏的电压。阳极可以是接地的，也可以处于浮动电位或处于一定的正负电位。在对系统预抽真空之后，充入适当压力的惰性气体，例如Ar作为气体放电的载体，压力一般处于10-1-10Pa的范围内。在正负电极高压的作用下，极间的气体原子被大量电离。电离过程使Ar原子变成Ar+离子和可以独立运动的电子，其中电子飞向阳极， 而带正电的Ar+离子则在高压电场的作用下高速飞向作为阴极的靶材，并在与靶材的撞击过程中释放处其能量。离子高速撞击的结果之一就是相当多的原子获得高能量，使其可以脱离靶材而飞向衬底。 相对而言，溅射过程比蒸发过程要复杂得多，其定量描述也要困难得多。 等离子物理 辉光放电的物理基础 如图示直流气体放电系统，电极之间由电动势E的直流电源提供电压V和电流I，并以电阻R作为限流电阻。系统中各电参数之间的关系 V=E-IR 使真空容器中Ar的压力保持为1Pa，并逐渐提高两个电极之间的电压。在开始时电极之间几乎没有电流流过。因为这时气体原子大多处于中性状态，只有极少数的原子受到高能宇宙射线的激发产生电离，他们在电场的作用下作定向运动，在宏观上表现处很微弱的电流，如图曲线的开始阶段。随着电压的升高，电离粒子的运动也随之加快，即放电电流随电压增加而增加。当这部分电离粒子的速度达到饱和时，电流不再随电压升高而升高，即电流达到一个饱和值，它取决于气体中原来已经电离的原子数。当电压继续升高时，离子与阴极之间以及电子与气体分子之间的碰撞变得重要起来。在碰撞趋于频繁的同时，外电路转移给电子与离子的能量也在逐渐增加，电子的碰撞开始导致气体分子电离，同时离子对阴极的碰撞也将产生二次电子发射，这些均导致产生新的离子与电子，即碰撞过程导致离子与电子数目呈雪崩式的增加。这时，随着放电电流的增加，电压变化不大。这种放电过程叫Townsend discharge。在汤生放电的后期，放电开始进入电晕放电阶段。这时，在电场强度较高的电极尖端部位开始出现一些跳跃的电晕光斑，因此这一阶段被称为电晕放电(Corona discharge)； 返回1 返回2 *