实验18MOS结构高频C-V特性测试.doc

MOS结构高频C-V特性测试 MOS结构电容-电压特性（简称C-V特性）测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度、和固定电荷面密度等参数。 本实验目的是通过测量MOS结构高频C-V特性及偏压温度处理（简称BT处理），确定、N、和等参数。 实验原理 MOS结构如图1（a）所示，它类似于金属和介质形成的平板电容器。但是，由于半导体中的电荷密度比金属中的小得多，所以充电电荷在半导体表面形成的空间电荷区有一定的厚度（—微米量级），而不像金属中那样，只集中在一薄层（—0.1nm）内。半导体表面空间电荷区的厚度随偏压而改变,所以MOS电容是微分电容 （1） 式中是金属电极上的电荷面密度,A是电极面积。现在考虑理想MOS结构。所谓理想情形，是假设MOS结构满足以下条件：（1）金属与半导体间功函数差为零；（2）绝缘层内没有电荷；（3）与半导体界面处不存在界面态。偏压VG一部分在降在上，记作；一部分降在半导体表面空间电荷区，记作,即 （2） 又叫表面势。考虑到半导体表面空间电荷区电荷和金属电极上的电荷数量相等、符号相反，有 （3） 式中是半导体表面空间电荷区电荷面密度。将式（2）、（3）代入式（1）， （4） 式（4）表明MOS电容由和串联构成，其等效电路如图1（b）所示。其中是以为介质的氧化层电容，它的数值不随改变；是半导体表面空间区电容，其数值随改变，因此 （5） （6） 式中是相对介电常数。 p型衬底理想MOS结构高频C-V特性曲线如图（2）所示。 图中V代表偏压。最大电容,最小电容和最大电容之间有如下关系[1]： （7） 式中是半导体的相对介电常数。 时，半导体表面能带平直，称为平带。平带时的MOS电容称为平带电容，记作。对于给定的MOS结构，归一化平带电容由下式给出[1]： （8） 平带时所对应的偏压称为平带电压，记作。显然，对于理想MOS结构，。 现在考虑实际的MOS结构。由于中总是存在电荷（通常是正电荷），且金属的功函数和半导体的功函数通常并不相等，所以一般不为零。若不考虑界面态的影响，有 （9） 式中是中电荷的等效面密度，它包括可动电荷和固定电荷两部分。“等效”是指把中随机分布的电荷对的影响看成是集中在Si-SiO2界面处的电荷对的影响。是金属-半导体接触电势差， （10） 对于铝栅p型硅MOS结构，大于零，通常也大于零（正电荷），所以，如图3中的曲线1所示。作为对比，图中还画出了相应的理想曲线（曲线0）。 利用正、负偏压温度处理的方法（简称处理）可将可动电荷和固定电荷区分开来，负BT处理是给样品加一定的负偏压（即），同时将样品加热到一定的温度。由于可动电荷（主要是带正电的离子）在高温小有较大的迁移率，它们将在高温负偏压条件下向金属-界面运动。经过一定的时间，可以认为中的可动电荷基本上全部运动到金属-界面处。保持偏压不变，将样品冷却至室温，然后去掉偏压，测量高频C-V特性，得到图18.3中的曲线2。由于这时可动电荷已经全部集中到金属-界面处，对平带电压没有影响了，根据（9）式可得 （11） 若已知，由式（18.11）可以确定中的固定电荷面密度 （12） 改变偏压极性，作正BT处理。加热的温度和时间与负BT相同。正BT处理后，测量高频C-V特性，得到图3中的曲线3。由于这时可动电荷已基本上全部集中到界面处，所以中包含了和的影响。根据式（9）和式（11） （13） 令，由式（13）可确定可动电荷面密度 （14） 本实验所用仪器设备主要包括三部分:测试台(包括样品台、探针、升温和控温装置等)、高频（1MHz或更高）C-V测试仪和X-Y函数记录仪。实验装置如图4所示。 样品制备中衬底材料、电极面积、氧化层厚度以及电极材料等，均可根据现有的材料和具体工艺条件而定。例如，p型或n型硅单晶抛光片，电阻率6—10。干氧氧化，氧化层厚度约为100。铝电极或多晶硅电极，面积为。为了保证样品和测试台之间有良好的欧姆接触，最好在样品背面蒸上驴。最后，在400-450 forming gas(10%、30%的混合气体)中退火30分钟