MMIC特殊工艺肖特基接触(二)课件.pptVIP

MMIC特殊工艺(二) 陈汝钦 成都嘉石科技有限公司 2013年01月15日 (肖特基接触(Schottky Contacts)) 主 要 内 容 2 3 4 肖特基接触制造 引言 1 结论 5 肖特基接触特性 肖特基接触测试 金属体系是所有半导体器件和集体电路的基本部分. 它提供半导体有源区(Active Area)或其他器件和外面电路的精确电接触. 主要采用材料和工艺的考量是确保所选择的金属能达到所需电特性和可靠性; 关于金属和半导体的接触有欧姆(Ohmic)和肖特基(Schottky) 两种,各具半导体器件设计上明显不同需求的特性. 欧姆接触在金属/半导体界面形成很低的电流势垒(Barrier)而达到很小的电阻; 而肖特基接触则是完全相反而需要在此界面形成很高的电流传导势垒以达整流(Rectify)的特性, 同时所形成的界面态(Interface States)对其电性和可靠性扮演极重要的角色; 肖特基栅极是许多GaAs器件里两个最重要部分之一 (另外一个为源或漏极的欧姆接触); 其整流特性, 尺寸, 所放置的位子和可靠性对场效应晶体管(FET)的性能是极端重要的. GaAs器件通常使用Ti/Pt/Au, Al, WSi, WSiN, TiW, TiWN等肖特基栅极. 引言(Introduction) 2.肖特基接触特性 (Characteristics)