微机原理第3章的课件.pptVIP

* 工作方式 CE OE PGM A9 VPP DO7～DO0 读出 0 0 1 × ＋5V 输出 读出禁止 0 1 1 × ＋5V 高阻 维持 1 × × × ＋5V 高阻 编程 0 1 负脉冲 × ＋21V 输入 编程校验 0 0 1 × ＋21V 输出 编程禁止 1 × × × ＋21V 高阻 2764功能表 * 3.3.4 电可擦除可编程只读ROM(E2PROM) 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程，也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路，可在线写入，但写入时间较长（10ms）。 * 存储器字数 单片存储器字数 存储器位数 单片存储器位数 =所需芯片总数 例：要构成16KB的存储器，需要几片2K*2bit的RAM存储器？ 3.4 存储器的扩展 * 一、位扩展（只加大位长，存储体的字数与存储器芯片字数一致） 用64K×1bit的芯片扩展实现64KB存储器 进行位扩展时，模块中所有芯片的地址线和控制线互连形成整个模块的地址线和控制线，而各芯片的数据线并列（位线扩展）形成整个模块的数据线（8bit宽度）。 ⑧ 64K*1 I/O ⑦ 64K*1 I/O ⑥ 64K*1 I/O ⑤ 64K*1 I/O ④ 64K*1 I/O ③ 64K*1 I/O ② 64K*1 I/O cs ① 64K×1 I/O D0 D7 …