Z-半导体敏感元件原理与应用一.docVIP

Z-半导体敏感元件原理与应用一 摘要：本文重点介绍光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型应用电路、设计方法和应用示例，供广大用户利用光、磁敏Z-元件进行应用开发时参考。 关健词：Z-元件、光敏Z-元件、磁敏Z-元件、传感器 一、 前言 光敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中[3]重要品种之一。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性，该元件也具有应用电路极其简单、体积小、输出幅值大、灵敏度高、功耗低、抗干扰能力强等特点。能提供模拟、开关和脉冲频率三种输出信号供用户选择。用它开发出的三端数字传感器，不需要前置放大器、A/D或V/F变换器，就能与计算机直接通讯。该元件的技术参数符合QJ/HN002-1998的有关规定。 磁敏Z-元件是Z-半导体敏感元件产品系列中[3]第三个重要品种。它具有与温敏Z-元件相似的伏安特性，该元件体积小，应用电路极其简单，在磁场的作用下，能输出模拟信号、开关信号和脉冲频率信号，而且输出信号的幅值大、灵敏度高、抗干扰能力强。 光敏、磁敏Z-元件及其三端数字传感器，通过光、磁的作用，可实现对物理参数的测量、控制与报警。 二、 光敏Z-元件及其技术参数 图1 电路符号与伏安特性 1． 光敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法 光敏Z-元件是一种经过重掺杂而形成的特种PN结，是一种正、反向伏安特性不对称的两端有源元件。 表1、光敏Z-元件的分档代号与技术参数 名称 符号 单位 阈值电压分档代号 测试条件 T=20°C或25°C 10 20 30 31 阈值电压 Vth V 10 10~20 20~30 30 RL=5kW 阈值电流 Ith mA 1 15 2 3 RL=5kW 导通电压 Vf V 5 10 15 20 RL=5kW 反向电流 IR mA 45 45 45 45 E=25V 允许功耗 PM mW 100 100 100 100 转换时间 t ms 20 20 20 20 阈值灵敏度 Sth mV/100lx -80 -120 -150 -200 RL=5kW 阈值灵敏度温漂 DTth %/100lx×°C×FS -4 RL=5kW M1区灵敏度 SM1 mV/100 lx 200 250 300 350 RL=Vth/Ith M1区灵敏度温漂 DTM1 %/100 lx×°C×FS -3 RL=Vth/Ith 反向灵敏度 SR mV/100lx 800 E=25V 反向灵敏度温漂 DTR %/100 lx×°C×FS -1 RL=510kW 图1（a）为结构示意图，图1（b）为电路符号。元件引脚有标记的或尺寸较长的为“+”极。 该元件的命名方法分国内与国际两种： 国内命名法： 国际命名法 响应波长代号 ： 1—0.4~1.2mm 2—0.2~1.2mm。 2． 光敏Z-元件的伏安特性曲线 图1（d）为光敏Z-元件的的伏安特性曲线。在第一象限，OP段M1区为高阻区（几十千欧~几百千欧）。pf段M2区为负阻区，fm段M3区为低阻区（几十千欧~几百千欧）。其中Vth叫阈值电压，表示在T()时Z-元件两端电压的最大值。Ith叫阈值电流，是Z-元件与Vth对应的电流。Vf叫导通电压，是M3区电压的最小值。If叫导通电流，是对应Vf的电流，也是M3区电流的最小值。在第三象限为反向特性，反向电流IR是在无光照时反向电压VR为25V时测量的，其值（微安级）很小。 3． 光敏Z-元件的分档代号与技术参数 光敏Z-元件的分档代号与技术参数见表1。其分档代号按Vth值的大小排列。型号分二种，按其响应波长分。目前产品波长代号皆为1。 三、 光敏Z-元件的光敏特性 1． 无光照时光敏Z-元件正、反向伏安特性的测量 用遮光罩把光敏Z-元件罩上，即在无光照的情况下，利用图1(c)特性测量电路测量其正、反向伏安特性，测量电路与方法与温敏Z-元件相同 [6] 。 2． 光敏Z-元件正向光敏特性 把Z-元件接在正向特性测量电路上，Z-元件放置在可变照度的光场中。测量时照度由小到大，每次递增100lx，用数字照度计校准，然后测量Z-元件的正向特性，记录不同照度时的Vth、Ith、Vf 。从测试可知，光敏Z-元件的阈值点P(Vth,Ith)随着照度的增加，一直向左偏上方向移动如图2(a)，