模拟电子线路3–2结型场效应管.pptVIP

3.2 结型场效应管 JFET结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N沟道JFET P沟道JFET N + N + P G S D N沟道JFET管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏PN结反偏) VGS 0 (保证栅源PN结反偏) 3.2.1 JFET管工作原理 P + P + N G S D + VGS VDS + - VGS对沟道宽度的影响 |VGS | ? 阻挡层宽度? 若|VGS | 继续? 沟道全夹断 使VGS =VGS (off)夹断电压 若VDS=0 N G S D + VGS P + P + N型沟道宽度? 沟道电阻Ron? VDS很小时 → VGD ?VGS 由图 VGD = VGS - VDS 因此 VDS?→ID线性 ? 若VDS ?→则VGD ?→近漏端沟道? → Ron增大。 此时 Ron ?→ID ?变慢 VDS对沟道的控制（假设VGS 一定） N G S D + VGS P + P + VDS + - 此时W近似不变 即Ron不变 当VDS增加到使VGD ?=VGS(off)时 → A点出现预夹断 若VDS 继续?→A点下移→出现夹断区 此时 VA