基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响.pdfVIP

( ) 第 3 1卷第 6期 南昌大学学报 理科版 Vo l. 31 No. 6 　　　 　　　 ( ) 　 2007年 12 月 Journal of N anchang U n iversity N atural Science D ec. 2007 　　文章编号 : 1006 - 0464 (2007) 06 - 0545 - 04 基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响 a b b b 蒋雅雅 ,赖珍荃 ,王震东 ,黄奇辉 (南昌大学 a. 材料科学与工程学院; b. 理学院 ,江西 南昌 330031) ( ) 摘 　要 :在不同的基底温度下 ,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛 TiN x 薄膜 ,研究了基底温度 对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响 。实验结果表明:基底温度较低时 ,薄膜主要成分为四方相的 Ti N , 2 ( ) 具有 110 择优取向,当基底温度升高到 360 ℃时薄膜中开始出现立方相的 TiN 。TiN x 薄膜致密均匀 ,粗糙度小 。 随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小 。 关键词 :磁控溅射 ; TiN 薄膜 ;基底温度 中图分类号 : TB3　　　　文献标识码 : A ( ) 　　氮化钛 TiN x 薄膜是 目前工业研究和应用最 1　实验方法 为广泛的薄膜材料之一 ,它熔点高 ,热稳定和抗蚀性 好 ,并以其较高的硬度和低的电阻率 ,受到人们 日益 利用 CKJ - 500D 多靶磁控溅射镀膜设备 ,在 Si 广泛的关注 。早期的氮化钛薄膜研究工作主要集中 基底上制备 TiN x薄膜, 靶材为直径 Φ 100 mm 纯度 在外观色泽 [ 1 ] 、硬度 [ 2 ] 和耐高温 [ 3 ] 、耐腐蚀特性 [ 4 ] 99. 99%的金属 Ti靶 。溅射前将 Si基底用丙酮 、酒 等方面 。但最近 ,氮化钛膜作为 Cu 的扩散阻挡层 精和去离子水超声波清洗 。开始溅射前 ,先将腔体 在半导体器件中的应用受到重视 [ 5 - 7 ] 。根据阻挡层 的本底压强抽到 5. 0 ×10 - 4 Pa 左右 ,然后通入氩气 ( 的定义 ,阻挡层要求在一定高温下能有效阻止 Cu 和氮气 氩气和氮气的流量分别为 15 sccm 和 20 sc 的扩散 ,与 Cu 及介质有 良好的结合以及较小的接 cm ) ,保持工作气压为 1. 0 Pa,分别在 150、2 10、270、