第3章薄膜制备的物理方法.ppt

Hg+轰击Cu多晶靶时溅射离子能量随出射角的分布 重元素靶材溅射出来的原子有较高的能量；而轻元素靶材则有较高的速度； 不同靶材具有不同的原子逸出能量，而溅射率高的靶 材，通常具有较低的平均逸出能量； 在入射离子能量相同时，原子逸出能量随入射离子质量线性增加；入射离子质量小，原子逸出能量低；反之亦然。 平均逸出能量随入射离子能量增加而增大，当入射离子能量超过1keV时，平均逸出能量趋于恒定； 倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能量（守恒定律）。 溅射原子的能量与速度有如下特点： 1. 溅射原子的角度分布 早期的热峰蒸发理论 溅射原子的角度分布符合Knudsen余弦定律，并且与入射离子的方向无关（局部高温蒸发）。 实际逸出原子分布并不遵从余弦定律。 2. 实际分布 在垂直于靶面方向明显少于余弦分布时应有的逸出原子数。 3. 与晶体结构方向的关系 逸出原子与原子排列密度有关。主要逸出方向为[110]，其次为[100]、[111] 4. 与靶材结构（晶态和非晶态）的关系 单晶靶可观察到溅射原子明显的择优取向；多晶靶溅射原子近似余弦分布。 5. 溅射率的表达式 通过离子与固体相互作用的物理过程，可以得到如下表达式： （1）离子能量小于1keV，在垂直入射时，溅射率为 式中， 为最大传递能量， 靶材元素的势垒高度， 是与靶材原子质量 和入射离子质量 之比 相关的常数。 （2）离子能量大于1keV，在垂直入射时，溅射率为 A2 （3）一般情况下，溅射率的计算可由下式处理 式中， 原子量， 为离子电流密度， 为溅射时间。 为刻蚀速率， 为材料密度. 10-100eV能量的Ar+离子对某些金属表面进行轰击时，平均每个入射离子所产生的各种效应及其发生几率。 3.溅射镀膜过程 溅射粒子的迁移过程 溅射粒子： 正离子：不能到达基片（载片台接正电压） 中性原子或分子 其余粒子 均能向基片迁移 中性粒子的平均自由程 可以用下式表示 式中， 是溅射粒子的平均速度， 是溅射粒子相互作用的平均碰撞次数， 是溅射粒子与工作气体分子的平均碰撞次数。 一般情况下，溅射粒子密度远小于工作气体的分子密度，则 υ11 υ12 ，故 式中， 和 分别是工作气体分子的密度和平均速度； 是溅射粒子与工作气体分子的碰撞面积。 由于溅射粒子速度远大于气体分子的速度，有 例题：Ar+离子溅射铜靶，已知 （0℃，133Pa） 求溅射离子的平均自由程？ 解：代入公式 溅射镀膜的气体压力一般为101-10-1Pa，其平均自由程为1-10cm，因此，靶和基片的距离与溅射粒子的平均自由程大致相当。 溅射粒子到达基片时的能量相当与蒸发原子的几十至上百倍。 溅射粒子的成膜过程 成膜机理将在薄膜物理部分讲，这里介绍几个相关问题。 （1）淀积速率 定义：淀积速率 是指从靶材上溅射出来的物质，在单位时间内淀积到基片上的薄膜厚度。 式中， 是与溅射装置有关的特征常数， 是离子电流， 是溅射率。显然： （2）淀积薄膜的纯度 纯度——杂质——残余气体 基本关系： 设真空室体积 ，残余气体分压 ，氩气分压 ，残余气体量 ，氩气量 ，则有 提高纯度——降低残余气体压力——提高真空度、 增加氩气量。 （3）淀积过程中的污染 系统内部表面吸附的气体、水汽和二氧化碳；(充N2） 扩散泵油的回流引起的污染；（用无油泵） 基片表面吸附的固体颗粒，产生针孔和淀积污染；（烘烤） 气体和靶材的纯度； 结论 溅射率随入射离子能量增大而增大，在离子能量达到一 定程度后，由于离子注入效应，溅射率减小；一般2-5KV; 溅射率的大小与入射离子的质量有关；m大,S大； 溅射率随入射离子的入射角改变，在60-80 ?最大，一般 采用45-60 ? ； 当入射离子能量小于溅射阈值时，不会发生溅射； 溅射原子的能量比蒸发原子大许多倍(1-2个数量级）； 溅射原子角度分布不完全符合余弦定律； 电子轰击靶材不会发生溅射现象。 溅射理论的发展 1853年Grove就观察到了溅射现象，发现在气体放电室的器壁上有一层金属沉