过渡金属与氮共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究_段满益.pdf

第 56 卷 第 9 期 2007 年 9 月 物 　理 　学 　报 Vol . 56 ,No . 9 ,September ,2007 ( ) 10003290200756 09 535907 ACTA PHYSICA SINICA 2007 Chin . Phys. Soc . 过渡金属与氮共掺杂 ZnO 电子结构和 光学性质的第一性原理研究 ) ) ) ) ) ) ) ) ) 段满益1 　徐 　明1 2 　周海平1 　沈益斌1 　陈青云1 　丁迎春1 　祝文军1 3 1) ( 四川师范大学物理与电子工程学院与固体物理研究所 , 成都 　610068) 2) (重庆邮电学院光电工程学院 , 重庆 　400065) 3) ( 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室 ,绵阳　621900) (2007 年 1 月 22 日收到 ;2007 年 2 月 26 日收到修改稿) ( ) 　　采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法 ,结合广义梯度近似 GGA 研究了过渡族金 ( ) 属 Mn ,Fe ,Co ,Cu 与N 共掺杂 ZnO 的能带结构 、电子态密度分布 、差分电荷密度和光学性质. 计算表明Mn ,Fe ,Co 与 N 共掺 ZnO 的光学性质与 Mn ,Fe ,Co 单掺杂相近 ,但是过渡族金属与N 共掺杂有利于获得 p 型 ZnO. 关键词 : ZnO , 第一性原理 , 电子结构 , 光学性质 PACC : 7110 , 7360P , 7840 G , 7855E 杂样品结构不稳定 ,掺杂浓度低 ,可重复性差[3 ,4 ] . 正 1 引 言 因为此 , Yamamoto 等人[2 ] 便提 出了共掺杂理论来 实现p 型 ZnO 掺杂. 目前 已有 许 多相 应 的实 验 ZnO 是一种新型六角结构的直接带隙的宽禁带 报道[5 ,6 ] . (室温下 337 eV) 半导体材料 ,具有低介电常数 、大 另 一 方 面 , 稀 磁 半 导 体 ( diluted magnetic 光电耦合系数 、高化学稳定性 、高的激子结合能及优 semiconductors , DMSs) 由于能够实现将半导体的电 良的光电、压电特性 ,因此在许多方面有潜在的应用 荷性和电子间的自旋耦合集中于同一种物质中引起 价值 ,如发光二极管 、光电探测器 、表面声波器件及 特殊的磁 、磁光 、磁电等性质 ,近来引起人们极大的