低频教材第1章.ppt

电子线路Ⅰ 教师 : 徐宏宇 何慧 电子工程系 一、课程内容： 1–1–3半导体中的电流 一、漂移电流 在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动形成的电流，称为漂移电流。 1–3–4二极管基本应用电路 利用二极管的单向导电特性，可实现整流、限幅及电平选择等功能。 二、二极管限幅电路 限幅电路也称为削波电路，目的使输入电压的变化范围加以限制的电路，用于波形变换和整形。 三、二极管电平选择电路 从多路输入信号中选出最低电平或最高电平的电路，称为电平选择电路。 1-3-5稳压二极管稳压电路 限流电阻R的计算： 当Ui，RL变化时，IZ应始终满足Izmin IZIZmax。 1–4 其它二极管简介 变容二极管 肖特基二极管 发光二极管 光电二极管 隧道二极管 三 、最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 四、最大反向工作电压URM =UBR /2 二极管允许施加的最大反向 电压电压。 五 、反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗管在微安(?A)级。 六 、最高工作频率fM 1-3-3 二极管的模型及近似分析计算 例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件 1、二极管特性的折线近似及电路模型 导通压降 二极管的V—A特性 D U 2、串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 3、理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 二极管的近似分析计算 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ 例： 串联电压源模型 测量值 9.32mA 相对误差 理想二极管模型 R I 10V E 1kΩ 相对误差 0.7V 一、二极管整流（交流电变直流）电路 简单二极管半波整流电路如图所示。若二极管为理想二极管。 限幅电路的传输特性 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 1-3-5 稳压二极管及稳压电路 一、稳压二极管特性 应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 二、稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ (4) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 稳压 电流IZ IZ＜IZmin则不能稳压，超过Izmax稳压管会因功耗过大烧坏。 (5) 温度系数 （2）额定功耗PZ 稳压二极管稳压电路如图所示。图中Ui为有波动的输 入电压，并满足Ui UZ。R为限流电阻，RL为负载。 实际应用中要考虑负载变化时的稳压效果 稳压即当Ui，RL变化时，UO基本保持稳定。 * 半导体基础知识 半导体器件： 晶体二极管、三极管、场效应管、运算放大器 机理 模型 应用分析 放大器性能分析 其他实用电路分析 （运算电路、电源电路等） 二、课程特点： 1、工程性强 2、入门较难 3、实践环节要求高 三、教