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光照度实验 实验一 发光二极管（光源）的照度标定实验 一、实验目的 了解发光二极管的工作原理；作出工作电流与光照度的对应关系及工作电压与光照度的对应关系曲线，为以后实验提供数据。 二、基本原理 半导体发光二极管筒称LED。它是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN 结。因此它具有一般二极管的正向导通；反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。其发光原理如图1-1 所示，当加上正向激励电压或电流时，在外电场作用下，在P－N 结附近产生导带电子和价带空穴，空穴由P 区注入N 区，进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。假设发光是在P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发 图1-1 发光二极管的工作原理 光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、价带中间附近）捕获，再与空穴复合，每次释放的能量不大，以热能的形式辐射出来。发光的复量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN 结面数μm 以内产生。发光二极管的发光颜色由制作二极管的半导体化合物决定。本实验使用纯白高亮发光二极管。 三、需用器件与单元 主机箱（0～20mA 可调恒流源、电流表、0～24V 可调电压源，照度表）；照度计探头；发光二极管；通光筒。 四、实验步骤： 照度—电流对应值的测量； 1、按图1-2 配置接线，接线注意＋、－极性。 2、检查接线无误后，合上主机箱电源开关。 3、调节主机箱中的恒流源调节旋钮 (电流表量程20mA 档)改变发光二管的工作电流大小就可改变光源的光照度值。调节到表1 所给定照度值时，读取电流表显示值，记录在表1所对应照度值的表格中，得到照度—电流对应值。 照度—电压对应值的测量； 1、关闭主机箱电源，再按图1-3 配置接线，接线注意＋、－极性。 2、合上主机箱电源，调节主机箱中的0～24V 可调电压(电压表量程20V 档)就可改变光 源(发光二极管)的光照度值。调节到表1 所给定照度值时，读取电压表显示值，记录在表1所对应照度值的表格中，得到照度—电压对应值。 图1-2 工作电流与光照度的对应关系 图1-3 发光二极管照度标定实验示意图 表1 发光二极管的电流、电压与照度的对应关系 照度（Lx） 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 电流(mA) 0.22 0.34 0.45 0.55 0.66 0.76 0.86 0.97 1.07 1.18 电压(V) 3.05 3.23 3.37 3.49 3.60 3.71 3.83 3.95 4.06 4.16 五、实验结果 根据表1画出发光二极管的电流－照度、电压－照度特性曲线(图1-4)。 图1-4 发光二极管的电流－照度、电压－照度特性曲线 实验二 光敏三极管特性实验 一 、实验目的 了解光敏三极管结构、原理和特性。 二、 基本原理 在光敏二极管的基础上，为了获得内增益，就利用晶体三极管的电流放大作用，用Ge 或Si 单晶体制造NPN 或PNP 型光敏三极管。其结构使用电路及等效电路如图2-1 所示。 图2-1 光敏三极管结构及等效电路 光敏三极管可以等效一个光电二极管与另一个一般晶体管基极集电极并联 ：集电极-基极产生的电流，输入到共发三极管的基极在放大。不同之处是，集电极电流（光电流）有集电结上产生的iφ 控制。集电极起双重作用；把光信号变成电信号起光电二极管作用；使光电流再放大起一般三极管的集电结作用。一般光敏三极管只引出E、C 两个电极，体积小，光电特性是非线性的，广泛应用于光电自动控制作光电开关应用。 三、需用器件与单元 主机箱、光电器件实验（一）模板、发光二极管、光敏三极管。 四、实验步骤 1、光照特性： 将图2-2安装接线，注意接线孔的颜色相对应即+、-极性， 将图2-2 中主机箱中±2V～±10V 的可调电源开关打到6V 档，电流表在（20 mA 档）合上主机箱电源， 调节0～24V 可调电源（转速调节旋钮），调节到实验一中表1相应的照度电压值，读取电流表显示值，记录在表2-1所对应照度值的表格中。 图2-2 光敏三极管特性实验接线图 表2-1 光敏三极管光照特性实验数据 光照度（Lx） 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 光电流(mA) 0.05 0.10 0.16 0.21 0.26 0.31 0.37 0.43 0.50 0.54 2、伏安特性测量 光敏三极管在一定的光照强度下，光电流随外加电压的变化而变化，测量时，电流表在（20 mA 档）合上主机箱电源，调节0～24