疎水化処理したMGOナノ粒子の作製と液晶ディスプレイへの応用.ppt

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疎水化処理したMGOナノ粒子の作製と液晶ディスプレイへの応用

* 疎水化処理したMgOナノ粒子の作製と液晶ディスプレイへの応用 木練研究室 E107601 青島 冬治 LCD * 研究背景 本研究の目的 ☆近年、液晶ディスプレイに関して低電圧駆動と高速応答性等が望まれている。 *従来技術 一方、酸化物ナノ粒子として単結晶チタン酸バリウム(BaTiO3)ナノ粒子を液晶に添加 し、低電圧駆動したという報告2)があるが、その詳細なメカニズム等は明らかにされてい ない。 2)Ferroelectric Particle/Liquid Crystals Dispersions for Display Applications John West et al. IDW/AD LCT1-1 (2005) 1)Dielectric spectroscopy of metal nanoparticle doped liquid crystal displays exhibiting frequency modulation response Kobayashi,S et al. Display Technology Journal of Volume2 Issue2 June 2006 Page(s):121 - 129 各種金属ナノ粒子(Pt,Pt/Pd,Au等)を液晶に添加し、駆動電圧の低下と高速応答性が 確認された1)が、更なる改善が求められている。 ① シランカップリング剤によるMgOナノ粒子の疎水化処理プロセスの確立 ② 疎水化処理したMgOナノ粒子を液晶へ均一分散させるプロセスの確立 ③ 疎水化処理したMgOナノ粒子を添加した液晶セルを試作し、電気光学特性を   評価することで、得られた特性について考察する。 液晶について 1888年、チェコの植物学者ライニッツァーが発見 ★液体と固体の中間的性質をもつ棒状分子である 加熱 冷却 冷却 加熱 液体 固体 液晶 電圧を印加すると液晶分子の配向が変わる * Si 無機物 有機物 OR’ 加水分解性基 有機官能性基 R ポリマー ラバー 樹脂等 無機粉体 金属 ガラス繊維等 シランカップリング剤とは? R Si OR OH R Si OH OH OR OR 加水分解反応 OH R Si OH OH + Filler HO O Filler R Si OH OH フィラーとの縮合反応 シランカップリング剤の反応プロセス Siを中心原子とし、有機物と反応する有機官能性基と無機物と反応する 加水分解性基をもつ化合物である -R基を粒子の外側に向けて配向させることで、水を弾く性質を粒子にもたせる * MgOナノ粒子の疎水化処理及び液晶への分散プロセス 液晶(MO-26) カップリング処理 MgO 乳鉢で混合 密閉容器で攪拌(80 ℃,150 rpm) 24 h 加熱乾燥(80 ℃) 疎水化処理MgO 2 h シランカップリング剤 IPA シランカップリング分散液 液晶分散処理 疎水化処理MgO 2-ブタノール 疎水化処理MgO分散液 超音波分散 30 min エバポレーション(60 ℃) 2 h Arガス置換 セル作製 評価 ?V-Tカーブ(駆動電圧) ?R-Tカーブ(応答特性) ?イオン密度測定 ?電圧保持率測定 評価方法 * V-Tカーブの比較データ 添加量(wt%) 未処理MgO MgO+SZ6070 MgO+AY43-048 MgO+AY43-210MC 0.1 1.3%低下 1.9%低下 0.6%低下 0.3%増加 0.3 0.9%増加 0.4%低下 1 1.0%増加 2.1%低下 0.1(再実験) 2.1%増加 1.4%増加 table. 疎水化処理したMgOナノ粒子のV-Tデータ fig. Pure MgO,MgO+SZ6070,MO-16 V-T比較データ MO-26 Pure MgO MgO+SZ6070 * イオン密度、電圧保持率データ 添加量(wt%) 未処理MgO MgO+SZ6070 MgO+AY43-048 MgO+AY43-210MC 0.1 74.9% 72.7% 85.9% 87.8% 0.3 97.1% 93.6% 1 96.6% 85.4% 0.1(再実験) 96.7% 97.1% table. 疎水化処理したMgOナノ粒子の電圧保持率 MO-26 MgO+SZ6070 MgO+SZ6070(再) fig.MO-26.MgO+SZ6070,MgO+SZ6070(再)イオン密度 * R-Tカーブの比較データ(ON Time) 添加量(wt%) 未処理MgO MgO+SZ6070 MgO+AY43-048 MgO+AY43-210MC 0.1 3.9%遅 8.3%遅 4.5%遅 6.4%遅 0.3 1.4%遅

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