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Mg x Zn 1-x O 纳米材料的研究进展
第34 卷 第10期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.34 No. 10
20 15 年10 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Oct. 20 15
综 述
Mg Zn O 纳米材料的研究进展
x 1-x
1, 2 2 1,2
王 浩 ，刘培生 ，顾 俊
（1. 南通大学 理学院，江苏 南通 226007；2. 南通大学 江苏省专用集成电路设计重点实验室，江苏 南通 226019 ）
摘要: 近年来，镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主
要总结概括了 Mg Zn O 纳米材料的制备方法，并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了
x 1–x
Mg Zn O 纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。
x 1–x
关键词: 镁掺杂；制备方法；综述；紫外光电探测；氧化锌纳米材料；相分离；激光液相烧蚀
doi: 10. 14106/ki.1001-2028.2015.10.001
中图分类号: TB34 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （20 15）10-0001-05
Research progress of Mg Zn O nanomaterials
x 1–x
1, 2 2 1, 2
WANG Hao , LIU Peisheng , GU Jun
( 1. College of Science, Nantong University, Nantong 226007, Jiangsu Province, China; 2. Jiangsu Key Laboratory of
ASIC Design, Nantong University, Nantong 226019, Jiangsu Province, China)
Abstract : In recent years, extensive application of magnesium doping zinc oxide semiconductor nanomaterials is in
transparent electronics, gas sensors, photocatalysis, etc. T
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