化学气相沉积碳化硅的增长.docVIP

材料科学字母 10 学报 (1991) 860862 化学气相沉积碳化硅的增长 炳进财，戴龙金 福海国立大学冶金工程部门的，Sankyuk 董韩国大邱 701、 702-Pook-gu 1370 碳化硅 (SIC) 有一些突出的属性，如高硬度、 化学惰性和热稳定性。这些属性引起了极大的兴趣，在其结构和设备的使用，特别是在高温。打印: 和菲尔丁 [1] 合成 SiC 的化学气相沉积 (CVD) 作为先导使用 C6H 6 和 SiC14，由于调查的硅和最近 C.methyltrichlorosilane (MTS ； 前体已作出许多努力 [2-5]CH3SiC13） 一直是最常使用的前兆 [6-8]，因为 MTS包含相同数量的硅和 C 原子，很容易可以产生化学计量 SiC。从对 SiC CVD MTS + H2 的热力学计算系统，Kingon et al.[9] 发达国家 CVD 相图和报道这唯一的碳化硅单阶段可以存放在广泛的温度和 MTS 摩尔分数。但是，其他人的实验作品中据报过剩 Si [10] 或 [11] 过剩 C codeposited 用碳化硅在某些条件下，与相对较严格的控制，在沉积条件是所必需的化学计量 SiC 的增长。 在这项工作我们研究化学计量生长 SiC MTS + H2 的系统，并获得的 SiC 电影无硅或过剩 C 阶段的温度下 1500 ° C，但总是在发现过剩硅相 1500 ° c。 沉积实验，我们使用的普通水平壁冷反应堆的石英管组成 （内直径 26 毫米） 和射频感应加热 SiC 涂石墨 susceptor。MTS 蒸气进行 H2 从 MTS 容器，维持在 0 ° c。MTS 的摩尔分数是由调整载气流量控制。基板，位于倾斜的 susceptor 上的温度被测量光学高温计校准的 SiC 发射率 [12]。表中列出了详细的实验条件我。膜厚度测量重量法和 opticalmicroscopy 由标识。沉积的层的特点是与 x 射线衍射仪 (XRD)、 扫描电子显微镜 （SEM） 和微维氏硬度计。T A B L E I 的实验条件列表总的系统压力1 atm (101.3 kPa) 沉积温度MTS 摩尔分数总流率线性气体速度Susceptor SiC 涂层石墨Susceptor 加热10 ° 倾斜射频感应加热 基板石墨 (10 mmx 10 x 1mm） 图 1 显示沉积速率作为函数的 MTS 浓度在 1300和 1500年 ° c。MTS 浓度为这两个沉积温度接近线性增加的沉积速率 图 2 显示了作为函数的各种总气体流量 800 和 1600 sccm 之间的互惠温度的沉积速率。沉积速率会随着流率略有增加。从图 2 我们注意到的温度特性沉积速率可以分为两个线性区域后阿伦尼乌斯类型的关系，与过渡点为 1250 ° c。高低温区域对应的表观活化能量分别为 163 和 38 kJmo1 K-1。低温地区的数据是与 MTS + H2 的报告 Brutsch [13] 的值协议系统。我们建议沉积速率控制的表面反应的低温地区和高温地区扩散反应，后者的值是颇大与值进行比较 （15-19kJmol-lK-i） 建议香港绍兴文理学院 [14]。 图 1 沉积速率作为 MTS 摩尔分数的函数。1500 ° C () 和 () 1300 ° c。总流率 1600 sccm。 图 2 沉积速率作为函数的互惠温度在各种总流率 (MTS 摩尔分数 = 0.01）。() 1600,(□) 1200和 (O) 800 图 3 显示了 xrd 从存放在不同温度下的样品。过剩的硅峰总是遵守在存放温度低于 1400 ° C，在图层和图显示的过剩 Si 的相对的峰值强度随着沉积温度逐步减少。然而，只有碳化硅单阶段没有多余的 Si 存在于 1500 ° c。我们注意到首选的方向不是图层沉积的1400 ° C，但 （2 2 0) 首选方向，平行于基板，发现在 1500 ° c。 作为沉积层的表面形貌图 4 所示。1400 以下的沉积层中曲面是由许多小的粒子，似乎是 SiC 和硅的混合物组成。不过，在 1500 ° C，显著改变形态，即晶体非常大，有发达的小平面。这些功能是类似这块由 Jacobson [15] 报告。存放 1400 以下的相对较小的粒子大小可能主要归因于 codeposited 的过剩 Si，阻碍了碳化硅单晶的生长。此外，可能会造成日益增长的表面吸附原子有这种低温表面迁移一些距离不足能源的事实 图 5 比较显微组织的断口存放于 c。存放在1300 ° C 的层有密集和光滑的裂隙的表面，如图 4 所示。与此相反，存放在 1500 ° C 的图层显示典型的柱状生长和粗面。最初有核的后