强激光照射对6H_SiC晶体电子特性的影响_邓发明.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 10 (2016) 107101 强激光照射对6H-SiC 晶体电子特性的影响 邓发明 1) (四川民族学院数学系, 康定 626001) 2)(四川大学原子与分子物理研究所, 成都 610065) ( 2016 年1 月16 日收到; 2016 年2 月15 日收到修改稿) 使用基于密度泛函微扰理论的第一性原理赝势法, 模拟研究了纤锌矿6H-SiC 晶体在强激光照射下电子 特性的变化. 研究结果表明, 电子温度e 在升高到3.89 eV 及以上后, 6H-SiC 由间接带隙的晶体变为直接带 隙的晶体; 带隙值随电子温度e 升高先是增大后又快速减小, 当电子温度e 大于4.25 eV 以后, 带隙已经消 失而呈现出金属特性. 关键词: 6H-SiC, 电子特性, 激光照射, 密度泛函微扰理论 PACS: 71.20.–b, 71.15.–m, 61.72.uj, 63.10.+a DOI