高频第5章.ppt

将 Cj 代入 ?osc ? ?0 = 中，得 ——v? = 0 的振荡(载波)角频率，与 VQ 有关 归一化调制信号电压 ▲只有当n＝2时，才能实现线性调频 ▲当n≠2时，将导致非线性失真，并导致中心频率偏离原来的载波频率 图 5-2-4　归一化调频特性曲线 v? = 0 的振荡(载波)角频率， 与 VQ 有关 v? 为调制信号 m很小，忽略x的3次方以上各项 ——中心频率 中心频率偏离原载波频率 线性项 非线性项 C．二次谐波分量的最大角频偏 D．调频波的二次谐波失真系数 E．中心角频率的相对偏离值 B ．最大频偏 A ．中心频率偏移 ?c 的数值 ▲在相对频偏不变的条件下，提高载波频率可提高最大频偏 ▲ 变容二极管性能受温度影响较大，为减少影响，可采用部分接入电路。 ▲增大m提高最大频偏的同时，中心频率会发生更大的偏移，导致载波频率不稳，因此必须限制m的大小 　　可将 VQ 和 v? 加到变容二极管上，实现控制作用，又不影响振荡器的正常工作。 L1：高频扼流圈 C2：高频滤波电容 C1：隔直电容 2．变容二极管部分接入振荡回路的直接调频电路 ▲改善调频的线性 ▲降低变容管上的高频电压 ▲减小温度的影响 高频振荡电压的影响 ▲应力求减小加到变容管上的高频电压 相应的调频特性方程 C1 主要影响高频区的调频特性线，取值较小 选择合适的C1、C2,并选用Cj变容指数大于2的变容管，使总电容等效为n＝2的变容管，实现线性调频 C2 主要影响低频区的调制特性曲线,一般取值较大 频率高时，Cj小，串联电容的影响减弱 频率低时，Cj大，串联电容的影响增大 全部接入最大角频偏 p = (1 + p1)(1 + p2 + p1 p2)1 p1 = CjQ / C2， p2 = C1 / CjQ 部分接入最大角频偏 部分接入的 变为全部接入的1/p,部分接入最大角频偏减小了，但温度影响减少了。载波频率稳度度提高了P倍，同时高频振荡振幅也相应减小，减小了调制失真。 ) ) 1 ( ( 1 1 ) ( Q j 2 Q j 2 1 osc C x C C C C L LC x n + + + = = S w 　　用调制信号控制张弛振荡电路的充放电电流，便可改变电路的振荡频率，实现直接调频。载波为方波或三角波，经过滤波器或波形变换器变成调频正弦波。 电路为射极耦合多谐振荡器。 T1，T2 接成交叉耦合正反馈放大器。 (+) (+) (-) (-) 3.张弛振荡器直接调频电路 设起始状态：T1 导通，T2 截止。 VCC 向电容 C 充电，充电电流为 I0。 vE1 基本不变，vE2 下降。 当 vE2 = VCC - VD(on)1 - VBE(on) 时：T2 导通，T1 截止。 电容反向充电，充电电流为 I0。vE2 基本不变， vE1 下降。 当 vE1 = VCC - VD(on)2 - VBE(on) 时：T1 导通，T2 截止。 重复以上过程，在集电极得到对称方波电压。 　　如果：VD(on)1 = VD(on)2 = VBE(on)，方波电压频率为 　　用调制电压控制 I0可以得到调频方波电压。 5.2.3　间接调频电路——调相电路 实现间接调频电路的关键：调相电路。 实现方法： 矢量合成法 可变相移法 可变时延法 一、矢量合成法调相电路 (1)原理 单音调制时，调相信号的表达式为 vo(t) = Vmcos(?ct + Mpcos? t) 当 Mp (?/12)，窄带调相 sin(Mpcos? t) ? Mpcos? t = Vmcos?ct cos(Mpcos? t) - Vmsin?ct sin(Mpcos? t) cos(Mpcos? t) ? 1， vo(t) =Vmcos?ct cos(Mpcos? t) - Vmsin?ct sin(Mpcos? t) ? Vmcos?ct -Vm Mpcos? t sin?ct 　　近似由载波信号(Vmcos?ct)和双边带信号 (Vm Mp cos? t sin ?ct)叠加而成。 　　用矢量表示，两矢量相互正交。 (2)实现模型 　　　　　　　　　　　　　　(a)　　　　　　　　　　　　　　　(b) 图 5-2-19　矢量合成法调谐电路的实现模型及其矢量合成原理 (a)实现模型　　(b)矢量合成原理 vo(t) ? Vmcos?ct -Vm Mpcos? t sin?ct 二、可变相移法调相电路 1．实现原理 vo(t) = Vmcos[?ct + ?(?c)] = Vmcos(?ct + Mpcos?t) 且呈线性关系 ?(?c) = kpv?(t) = Mpcos? t ?(?c) 受调制电压的控制