AlGaN GaN异质结场效应管(HFET)的可靠性问题.pdfVIP

Robert J. Trew, Daniel S. Green, Jeffrey B. Shealy AlGaN/GaN 異質結場效應管（HFET ）的 可靠性問題 高電壓 AlGaN/GaN 異質結場效應管（HFET ）正經歷著 功率可以直到 10W/mm 及更高的水平。採用不同化合物 快速的發展，並且被證明是可用於從 C-波段一直到 W- 半導體所製作的場效應晶體管的功率附加效率基本上是 波段的通信應用基站發射機和雷達發射機中功率放大器 相同的。採用AlGaN/GaN HFET 所製作的放大器已經可 的一個出色的候選技術。基於氮化物的 HFET 能夠產生 以產生400W 的脈衝功率，在S-波段上具有 600MHz 的 比與其競爭的固態器件高得多的射頻功率，並且具有近 帶寬（2.9-3.5GHz ）以及50%的PAE[1] ；一個兩級功率 乎於理想的功率附加效率（PAE ）。早期器件受到可靠 放大器在 X-波段（7.9-12.4GHz ）上可以產生 58W 的功 性問題的困擾，而這個問題制約了人們對它們的接受。 率，38%的PAE 和