第2章等离子体与材料的相互作用.pptVIP

第二章 等离子体与材料相互作用 内容 表面吸附 离子注入 溅射 刻蚀 交联 热效应 1.1 化学气相沉积技术 1.1.1 技术需求： 需要材料表面生成一层与基体完全不同的物质 半导体行业，电介质薄膜 生物材料，抗凝血薄膜 传感器：传感薄膜 1.1.2 定义 在一定温度条件下，混合气体与零件基体表面相互作用，使混合气体中某些成分分解，并在基体表面形成金属或化合物薄膜(镀层)的过程. 1.1.3 化学气相沉积的化学反应和特点 热分解或高温分解反应: CH3+SiCl3=SiC + 3HCl 还原反应: WF6 + 3H2 =W + 6HF 氧化反应: SiH4 + O2= SiO2 +2H2 水解反应: 2AlCl3+3H2O=Al2O3 +6HCl 1.1.4 化学气相沉积要素 足够高的温度：混合气体中某些成分分解并与基体表面相互作用形成化合物必须吸收一定的能量，也就是说，进行上述过程必须有一定的激活能，这激活能必须由加热基体表面获得，因而需要足够高的温度。通常CVD的反应温度大约在900~2000oC，它取决与沉积物的特性。 要有混合气体参加：混合气体主要是惰性气体（如Ar），还原气体（如H2），和反应气体（如N2、CH4、CO2、NH3、水蒸气）；有时采用高饱和蒸气压的液体，如TiCl4、SiCl4、等，把它们加热到一定温度（? 600C），通过载体氢、氩与起泡的液体，从供气系统中把上述蒸气带入沉积反应室。 1.1.5 化学气相沉积（CVD）的特点 CVD过程可在高温或中温下进行。 CVD过程可在大气压或低于大气压（低压）下进行， 镀层的密度和纯度可控制，镀层的化学成分可改变， 绕镀性好，适用于在复杂形状零件上沉积薄膜。 可形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。 1.1.6 化学气相沉积优缺点 优点：设备简单，操作方便，可沉积各种性能的单一镀层或复合镀层；化学气相沉积适用于处理复杂形状零件；镀层致密均匀，膜基结合强度较高。 缺点：沉积温度太高，在太高的温度下进行薄膜沉积，会使工件变形，基体晶粒长大，使基材性能下降。 1.2 金属有机化合物化学气相沉积 1.2.1 技术需求 降低沉积温度 1.2.2 MOCVD方法特点：它是把能在低温度下分解的金属有机化合物作为初始反应物，它的优点是可在热敏感基体上沉积镀层，它的缺点是沉积速率低、晶体缺陷密度高、膜中杂质多，气体毒性大。 1.3 等离子体增强化学气相沉积 1.3.1 技术需求 降低沉积温度 晶体缺陷要少 沉积速率高 解决方法：提高沉积粒子的能量 1.3.2 PACVD 原理 1.3.3 等离子体辅助化学气相沉积的优点 沉积薄膜的温度低。例如沉积TiC或TiN膜时，CVD过程沉积温度900~1100℃，PACVD 过程沉积温度为500℃。 大大减少了因薄膜与衬底材料热膨胀系数不匹配所产生的内应力。 可以提高沉积速率。 1.3.4 等离子体辅助化学气相沉积的缺点 在等离子体中，电子能量分布广泛，在沉积薄膜的过程中可能产生多种化学反应，致使反应产物难以控制，所以用PACVD难以获得很纯净的物质。 PACVD沉积温度低，反应过程中产生的其它气体会残留在薄膜之中。 对于某些脆弱的衬底易造成离子轰击伤。 PACVD相对于CVD而言，其处理价格较高。 1.3.5 PACVD的反应室组成 1.3.6 PACVD整体设备结构 2.3 离子注入过程的物理问题 1. 注入剂量 注入剂量D表示单位面积上注入的原子数目，对于一定的材料，注入剂量应处于一定的范围内。注入剂量（dose, fluence），注入深度，取决于离子能量及材料特性。一般，离子剂量范围从1014/cm2（对于半导体应用）到接近1018/cm2（对于增强硬度及抗磨损应用）。 3. 注入深度 对于不同的入射离子，由于和晶格粒子相互作用与碰撞是随机的，它最终停留下来的位置也应当是随机的。因此，对于所有入射原子，它们最终停留下来的位置是有一定分布的，它的分布是高斯分布。决定于注入离子能量，经计算，离子注入能量为100keV，注入深度大约为0.15~0.2?m ；离子注入能量为1MeV，注入深度大约为~1?m 。 4. 隧道效应 离子注入基体时，它与基体晶格粒子发生碰撞，如果基体是晶体，则晶格粒子在空间呈规则排列，入射离子沿晶体的主轴方向注入时，它们可能与晶格原子发生类似的碰撞，每次碰撞时，离子运动偏转很小，离子经过晶格同一排原子附近，可以穿透入固体中较深的距离，这现象称为隧道效应。 2.4 束线离子注入 2.4.1 束线离子注入的主要要素 注入离子种类 注入离子的能量 注入离子的剂量 离子束流密度 注入温度。 2.4.2 束线离子注入机 低能注入机(100kev以下) 中能注入机(1