1422_12695617_igbt器件培训摘要.pptVIP

IGBT器件培训 目录 一、IGBT概述; 二、IGBT器件分类; 三、IGBT主要电气参数和特性； 四、IGBT器件选用； 五、IGBT失效分析； 六、业界发展趋势； 一、IGBT概述 2、IGBT基本结构 一、IGBT概述 3、IGBT主要特点 双极型器件，少子参与导电。空穴电流占总电流的20～25％(NPT)。 由于少数载流子注入的基区调制效应，正向饱和压降（类似于MOSFET的导通电阻）不再明显受到耐压的影响。在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力； 同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于MOSFET，因而具有成本优势； 具有MOS栅控制结构，驱动与MOSFET类似； 关断时由于少数载流子存储效应，存在电流拖尾，关断损耗较高；也限制了使用频率（一般不高于200KHZ）； 由于没有自身的体二极管，应用中需配合反并二极管用以续流，同时限制反向电压。多数产品内部已集成封装了此反并二极管。 一、IGBT概述 4、IGBT主要应用范围 二、IGBT分类 1、按电压等级划分 300，600，900，1200，1700，3300，6500V，等 二、IGBT分类 2、按芯片技术划分 二、IGBT分类 二、IGBT分类 NPT(Non Punch Through) 二、IGBT分类 FS-NPT(Field St