分子磁体的磁性.docxVIP

1.单分子磁体的磁性来源于分子本身, 每一个分子相当于一个孤立的“磁畴”.未磁化时,单分子磁体具有分子磁化强度相反取向的双稳态, 两者布居数相当, 磁化强度的矢量和为零; 当施加一个磁场时双稳态的平衡被打破, 与磁场平行的能态具有更低的能量和更多的布居数, 磁化强度的矢量和不为零; 去磁时,在分子磁化强度矢量重新取向时产生一个能量壁垒, 当温度降低甚至低于翻转的能垒时, 翻转速率会减慢, 产生磁化强度的慢磁弛豫行为。 翻转能垒的高度决定了单分子磁体的阻塞温度. 对于阻塞温度, 通常认为是在该温度下表现出磁体的行为, 但是严格来说有 3 种定义[9]: (1)交流磁化率的虚部在特定的频率出现峰值的温度; (2)样品能观察到磁滞回。 出现峰值的温度. 这三种方法确定的阻塞温度可能会相差很多, 文献最常报道的阻塞温度则是指观察到磁滞回线的温度, 另外文献中也常把弛豫时间达到 100 s 时的温度定义为阻塞温度. 在本文中, 阻塞温度指的是观察到磁滞回线的温度. 稀土单分子磁体是一类特殊的单分子磁体. 与过渡金属相比, 稀土离子的 f 电子由于其未淬灭的较大的轨道角动量而具有相对较大的磁矩和磁各向异性. 另一方面, 由于稀土离子的 f 电子受外层 s, d 层电子的屏蔽因而磁相互作用较弱, 因此在许多簇合物以及聚合物的体系中, 稀土离子依然表现出单离子的性质, 体系的总角动量也仅仅是每个角动量的加和, 而忽略彼此之间的耦合. 尽管稀土离子间的磁相互作用很弱, 但是对它的弛豫机制仍然会产生明显的贡献, 依然是研究的重点.稀土单分子磁体的特点和研究方向可以分为 4 个方面: 首先, 通过设计稀土离子的晶体场和磁相互作用来构筑具有高能垒高阻塞温度的单分子磁体; 其次, 稀土单分子磁体常常表现出复杂的多弛豫现象, 对它们的弛豫机理至今还没有合理统一的解释, 因此许多课题组都在研究它们的磁动力学行为, 揭示它们的弛豫机理; 再次, 基于稀土单分子磁体的磁动力学行为对它的结构非常敏感, 微小的结构变化包括溶剂分子的释放、物理状态的改变等都会对它的磁性产生影响, 因此可以通过修饰端基配体、掺杂, 以及外界光、电、热的刺激来对它的磁行为进行调控;最后, 结合稀土自身的荧光特性以及配体的光学活性, 以及聚合物三维骨架的气体吸附、离子交换的性质而设计新颖的多功能材料. 2.单分子磁体可以看成是分子基铁磁体和纳米磁性材料的交叉点。 它提供了由单个分子构成的第一个真正意义上的单分散的纳米磁体。 人们研究单分子磁体主要有以下两个目的: 一是由单个分子构成的纳米单分子磁体可能最终用于高密度的信息储存设备 ;二是对单分子磁体的研究有助于对纳米尺寸磁性粒子物理学的理解。 揭示量子力学行为是如何在宏观尺度上起作用从而解释宏观磁学行为 ,实现科学家几十年来努力试图表征纳米磁体的量子磁化隧道效应 ( quantum tunneling of magnetization, QTM )的愿望。 单分子磁体定义： （1）如果一个分子在翻转磁矩方向有一定的势能壁垒 ,那么这种分子就可以作为单分子磁体 （2）单个分子在外磁场的作用下磁化强度对外磁场的曲线中会显示出磁滞回线的现象 ,这种分子称为单分子磁体. 有这么两种定义 我们认为 ,单分子磁体的概念中应该包括两点: 第一是组成上的判据 ,即由单个独立的分子构成。第二是性质上的判据 ,低温下磁化后会显示出磁滞回线或在交流磁化率的测量中有与外场频率相关的虚部磁化率出现最大值的现象。  一个分子要作为单分子磁体 ,必须具备以下两个条件: 一是具有一个大的基态自旋 ,大的基态自旋的产生来源于分子内铁磁相互作用或由于特定的拓扑 (topology) 结构而导致的自旋失措 ( spin frustration)的结果 , 尤其是后者在多核 M n单分子磁体配合物中更为常见。二是存在明显的负各向异性 ( negative anisotropy)。各向异性为负值以保证最大的自旋态能量最低。 为了形象地表示晶体中原子排列的规律，可以将原子简化成一个点，用假想的线将这些连接起来，构成有明显规律性的空间格架。这种表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格，又称晶架。  HYPERLINK /doc/191492-202333.html \t _blank 晶体的各向异性即沿 HYPERLINK /doc/307469-325502.html \t _blank 晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体在不同方向的物理化学特性也不同，这就是晶体的各向异性。 直接交换(direct exchange)作用起源于相邻原子轨道的重叠,仅涉及相邻原子局域的电子自旋,即原子间没有其他原子