第一章电力半导体器件技术总结.doc

电力电子变流技术试题汇总 （第一章 电力半导体器件） 填空题 晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是，阳极、门极和__阴__极。 晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，是晶闸管允许连续通过__工频__正弦半波电流的最大平均值。 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且__门极加上正向电压 _时，才能使其开通。 晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_+400__。 对同一只晶闸管，断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上有UDSM__小于_UBO。 .对同一只晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_≈（2～4）_IH。 .晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的_90%___。 普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率__四__层结构的半导体元件。 可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff的定义式为。 晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为____擎住电流IL__。 .晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压UDRm和反向重复峰值电压URRm中较_小__的规化值。 普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用__有效值_标定。 普通晶闸管属于__半控型_器件，在整流电路中，门极的触发信号控制晶闸管的开通，晶闸管的关断由交流电源电压实现。 IGBT的功率模块由IGBT和_快速二极管_芯片集成而成。 对于同一个晶闸管，其维持电流IH_ 小于_擎住电流IL。 2.可用于斩波和高频逆变电路，关断时间为数十微秒的晶闸管派生器件是__快速晶闸管____。 功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是__智能功率集成电路（SPIC）。 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM_＝90% UBO。 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__解决静态不均压__措施。 晶闸管断态不重复峰值电压UDSM与断态重复峰值电压UDRM数值大小上应有UDSM__小于__UDRM。 波形系数可以用来衡量具有相同的平均值，而波形不同的电流有效值_的大小程度。 当晶闸管_阳极加反向电压_时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在关断状态。 逆导型晶闸管是将逆阻型晶闸管和__大功率二极管__集成在一个管芯上组成的。 当晶闸管阳极承受__反向电压_时，不论门极加何种极性的触发信号，管子都处于断态。 使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至__维持电流IH_以下。 在双向晶闸管的4种触发方式中，_Ⅲ+_方式的触发灵敏度最低。 在晶闸管的两端并联阻容元件，可抑制晶闸管关断______。 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都将工作在_关断_状态。 晶闸管工作过程中，管子本身产生的损耗等于流过管子的电流乘以管子_两端的电压_。 维持电流IH是指晶闸管维持通态所需的_最小阳极_电流。 对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是正向阳极电压UA过高，二是__反向阳极电压－UA过高____。 为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过 不触发区。 由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_逆导型晶闸管__。 反向重复峰值电压URRM等于反向不重复峰值电压URSM的 90% 。 按照控制信号的性质来分，晶闸管是属于_电流_驱动型电力电子器件。 晶体管开通时间ton=___td+tr__。 擎住电流IL是指使晶闸管刚刚从断态转入通态，并在移去触发信号之后，能维持通态所需的 最小阳极 电流。 晶闸管通态(峰值)电压UTm是_ 晶闸管以π倍或规定倍数的额定通态平均电流时的瞬时峰值电压值 __ IGBT是一种__MOSSEFE__驱动的电子器件。。 电力晶体管的安全工作区由___四__条曲线限定。 晶闸管的通态平均电流IVEAR的波形系数Kf= 。 波形系数可以用来衡量具有相同电流平均值_，而波形不同的电流有效值的大小程度。 选择题。 1.造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( C ) A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大 C.阳极电压过高 D.电阻过大 2.在IVEAR定义条件下的波形系数kfe为( B ) A.π B. C. D.2π 3.晶