第1章集成电路的基本制造工艺选读.pdfVIP

绪 论 集成电路设计基础 集成电路(Integrated Circuit)是指通过一系列 集成电路设计基础 特定的制造工艺，将多个晶体管、二极管等有源器 件和电阻、电容等无源元件，按照一定的电路连接 西安交通大学微电子学系 集成在一块半导体晶片上，作为一个不可分割的整 西安交通大学微电子学系 体执行某一特定功能的电路组件。 1952年，英国皇家研究所的达默在美国工程师 协会举办的座谈会上发表的论文中第一次提出了集 第 1 章 成电路的设想。“可以想象，随着晶体管和半导体 第 1 章 工业的发展，电子设备可以在一个固体块上实现， 而不需要外部的连线，这块电路将由绝缘体、导体 集成电路的基本制造工艺 和具有整流放大作用的半导体等材料组成。” 集成电路的基本制造工艺 1958年美国德克萨斯仪器公司的科学家制出了 世界上第一块集成电路，并与1959公诸于世。 CH1 集成电路的基本制造工艺 1 CH1 集成电路的基本制造工艺 2 集成电路的分类 50多年的发展，集成电路已经从最初的小规模 1.按器件结构类型分类 发展到目前的超大规模集成电路和系统芯片，单个 电路芯片集成的元件数从当时的几十个发展到目前 根据集成电路中有源器件的结构类型和制造工 的几亿甚至几十亿个。集成电路的迅速发展，除了 艺技术可以将集成电路分为三类，分别为双极、 物理原理之外还得益于许多新工艺的发明。 MOS和双极-MOS混合型(BiMOS)集成电路。 早期研究和生产的集成电路是双极型的，1962  双极集成电路：这种电路采用的有源器件是双极 年以后出现了由金属－氧化物－半导体(MOS)场效应 晶体管，在双极集成电路中，又可以根据双极晶体 晶体管组成的MOS集成电路。双极和MOS一直处于相 管类型的不同而将它细分为NPN和PNP型双极集成电 互竞争、相互促进、共同发展的状态。由于MOS集成 路。电路特点：速度高、驱动能力强；功耗较大、 电路具有功耗低、适合于大规模集成等优点，所以 集成度较低。 ，MOS集成电路在整个集成电路领域中所占的份额越  MOS集成电路：这种电路中所用的晶体管为MOS 来越大，现已经成为集成电路领域的主流。虽然双 体管，所以称其为MOS集成电路。根据MOS晶体管类 极集成电路在总份额中占的比例在减小，但它的绝 型的不同，MOS集成电路又可以分为NMOS、PMOS和 对份额仍然在增加，而且在一些领域有着MOS集成电 CMOS集成电路。电路特点：输入阻抗高、抗干扰能 路不可替代优势。