K掺杂β-BaCu2S2电子结构和光学性质的第一性原理研究.pdf

第 37卷 第 1期 天津师范大学学报 (自然科学版 ) Vol_37 No．1 2017年 1月 JournalofTianjinNormalUniversity(NaturalScienceEdition) Jan．2017 文章编号：1671—1114(2017)01—0022—05 K掺杂fi-BaCu2S2电子结构和光学性质的第一性原理研究 姚倩倩，赵 辉，邢美静，梁 凯，李 实，申 洁 (天津师范大学物理与材料科学学院，天津 300387) 摘 要：为探究K掺杂对 3／一BaCu2S：晶体电子结构和光学性质的影响，采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平 面波理论方法，对不同K掺杂比例3／一BaCu：S的电子结构和光学性质进行理论计算和分析．计算结果表明．3／一BaCuS 是一种直接带隙半导体 ，带隙值为0．566eV．由其能带结构可知，随着K掺杂比例的增加 ，3／一BaCu2S。晶体的带隙变 窄，导电性增强．此外，随着K掺